| 专利名称: | 一种替代栅的制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200510011506.3 |
| 申请日期: | 2005-03-31 |
| 专利号: | CN1841666 |
| 第一发明人: | 徐秋霞 李瑞钊 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明属于超深亚微米及以下特征尺寸半导体器件制备方法，特别涉 及用于超深亚微米金属栅CMOS制造的一种替代栅制备技术。用金属作栅 电极，可以从根本上消除栅耗尽效应和硼穿透现象，同时获得非常低的栅 电极薄层电阻。本发明采用嵌入式金属栅CMOS工艺(即替代栅制备工艺) 实现了一种新颖的金属栅CMOS技术。在这种嵌入式金属栅CMOS工艺 中，主要关键技术之一是一套替代栅的制备技术，它包括替代栅材料的选 取，精细的替代栅图形的成形，平坦化和替代栅的去除。 |
| 其它备注: | |
科研产出