| 专利名称: | 全透明无铬移相掩模实现100纳米图形加工的方法 |
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| 申请号: | 200510056280.9 |
| 申请日期: | 2005-04-04 |
| 专利号: | CN1847984 |
| 第一发明人: | 刘 明 陈宝钦 谢常青 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 一种采用全透明无铬移相掩模实现100纳米图形加工的方法，具有 优化处理的掩模图形数据；合适的掩模图形曝光工艺；合适的显影条件； 严格控制铬模腐蚀条件；曝光后的掩模处理工艺；选择干法刻蚀的移相 器制作工艺，合适的移相层厚度的确定等特点，且采用g线436nm波长 的光源制备出分辨率高的100nm图形。本发明方法，大大提高了g线436nm 波长光源的曝光分辨率，使得我们在没有昂贵的193nm波长光源的光学 光刻设备(在1100万美元)的情况下，也能曝光出分辨率非常高的图形。 本发明是一种经济实用的制造100nm图形的新方法，可以满足纳米电子 器件研究迫切需要廉价的纳米加工手段的需求。 |
| 其它备注: | |
科研产出