专利名称: 单层双材料微悬臂梁热隔离焦平面阵列的制作方法
专利类别:
申请号: 200510011988.2
申请日期: 2005-06-23
专利号: CN1884039
第一发明人: 李超波 陈大鹏 叶甜春 王玮冰
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要: 一种单层双材料微悬臂梁热隔离焦平面阵列的制作方法,包括:1.
在单晶硅基片上双面生长氮化硅薄膜;2.用加热的氢氧化钾溶液各向异
性腐蚀氮化硅;3.在正面甩正性光刻胶;4.在背面甩正性光刻胶,光
学光刻背面窗口图形;5.各向异性刻蚀有光刻图形面;6.去除光刻胶;
7.在正面甩正性光刻胶,光学光刻正面氮化硅梁图形;8.在有光刻图
形的一面蒸发、剥离铬薄膜;9.各向异性刻蚀有铬薄膜覆盖的氮化硅;
10.各向同性腐蚀去除铬薄膜;11.在有氮化硅梁图形的正面甩正性光
刻胶,光学光刻正面隔离金图形;12.蒸发、剥离金;13.用加热的氢
氧化钾溶液各向异性腐蚀基片,完成镂空的双材料微悬臂梁热隔离结构
焦平面阵列的制作。
其它备注: