专利名称: 采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法
专利类别:
申请号: 200510011989.7
申请日期: 2005-06-23
专利号: CN1884040
第一发明人: 石莎莉 陈大鹏 欧 毅 谢常青 叶甜春
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要: 一种采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法,其工艺步骤如
其它备注: