| 专利名称: | 采用氧化硅填充-回刻的交叉阵列结构有机器件制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200510012171.7 |
| 申请日期: | 2005-07-14 |
| 专利号: | CN1897322 |
| 第一发明人: | 王丛舜 涂德钰 刘 明 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 一种交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法，其工艺步骤如下： 1. 在基片表面上淀积氮化硅薄膜；2.在氮化硅薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光 刻得到电极图形；3.利用抗蚀剂掩蔽刻蚀氮化硅薄膜；4.蒸发、剥离金 属得到交叉线下电极；5.淀积氧化硅以填充氮化硅沟槽；6.刻蚀氧化 硅至氮化硅薄膜表面；7.旋涂抗蚀剂，光刻得到上电极图形；8、蒸发、 剥离金属得到上电极；9.去除上下电极之间残留的氧化硅；10.液相法 生长有机分子材料；11.刻蚀，完成交叉线有机分子器件的制备。 |
| 其它备注: | |
科研产出