| 专利名称: | 基于氮化硅镂空掩模的纳米电极制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200510085294.3 |
| 申请日期: | 2005-07-22 |
| 专利号: | CN1901141 |
| 第一发明人: | 涂德钰 王丛舜 刘 明 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
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| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种基于氮化硅镂空掩模的纳米电极制备方法，其工艺步骤如下： 1.在基片上双面淀积氮化硅薄膜；2.在基片上旋涂抗蚀剂，光刻得到 镂空窗口；3.利用抗蚀剂作为掩膜刻蚀氮化硅薄膜；4.利用氮化硅作 为掩膜，湿法腐蚀基片得到氮化硅镂空薄膜；5.在镂空的氮化硅薄膜上 采用聚焦离子束刻蚀电极图形；6.利用所得到的镂空氮化硅薄膜做掩模， 在衬底上蒸发或者溅射金属得到电极。 |
| 其它备注: | |
科研产出