| 专利名称: | 铟镓磷增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200510088979.3 |
| 申请日期: | 2005-08-04 |
| 专利号: | CN1909240 |
| 第一发明人: | 李海鸥 尹军舰 张海英 叶甜春 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 一种铟镓磷增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构，其采 用铟镓磷/铟铝砷/铟镓砷材料结构，在半绝缘砷化镓衬底材料上，应用 缓变生长技术生长线性缓变铟铝镓砷外延层作为缓冲层，然后在缓冲层 上顺序生长：铟铝砷层、铟镓砷层、铟铝砷层、平面掺杂层、铟铝砷层、 应变铟镓磷层、铟镓砷层；其中，第九层铟镓砷外延层作为帽层，第八 层应变铟镓磷层外延层作为耗尽型的势垒层，第七层铟铝砷外延层作为 增强型的势垒层，第五层铟铝砷外延层作为隔离层，第四层铟镓砷作为 沟道层。 |
| 其它备注: | |
科研产出