| 专利名称: | 利用多层侧墙技术制备纳米压印模版的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200510126492.X |
| 申请日期: | 2005-12-14 |
| 专利号: | CN1982202 |
| 第一发明人: | 涂德钰 王丛舜 刘 明 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
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| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种利用多层侧墙技术制备纳米压印模版的方法，其工艺步骤如 下：1.在透光基片上淀积一层结构薄膜；2.淀积另外一种材料作为第 二层结构薄膜；3.4.采用化学机械 平坦化或研磨等方法抛光基片表面，得到由第一种与第二种结构材料交 替组成的侧墙阵列；5.选择腐蚀或刻蚀两种结构材料的侧墙，形成纳米 压印模版。 |
| 其它备注: | |
科研产出