| 专利名称: | 一种非平面沟道有机场效应晶体管 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200510130758.8 |
| 申请日期: | 2005-12-28 |
| 专利号: | CN1996636 |
| 第一发明人: | 于 贵 狄重安 刘洪民 刘云圻 刘新宇 徐新军 孙艳明 王 鹰 吴德馨 朱道本 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明是一种非平面沟道场效应晶体管结构，包括衬底、栅极电极、 绝缘层、源漏电极和有机半导体；其在衬底上沉积和图案化栅极以后， 顺次构筑第一层绝缘层、源电极、第二层绝缘层和漏电极，最后沉积有 机半导体层，至少包括一层有机膜。本发明金属层的厚度为30～300纳 米，沟道长度0.3～150微米。 |
| 其它备注: | |
科研产出