| 专利名称: | 均匀大面积常压射频冷等离子体发生器 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200420003865.5 |
| 申请日期: | 2004-02-26 |
| 专利号: | CN2682772 |
| 第一发明人: | 王守国 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 专利授权日期: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种均匀大面积常压射频冷等离子体发生器，包括一个射频电源、供气源和等离子体发生器，温度控制系统和支架等，等离子体发生器设有两个相对的表面彼此平行的电极，一个与射频电源连接叫射频电极，另一个与地连接叫地电极，该射频电极固定在可以上下移动的支架上，通过移动支架，使该射频电极与该地电极之间的间距可以调节，在该射频电极与该地电极之间形成放电区间，在该射频电极的中间部位开有多个进气小孔，该多个进气小孔与进气导管相通，该进气导管与供气源连通，该地电极可由电机带动自转，在该地电极下面设有加热器，该地电极表面的温度可以通过控制加热器来控制。 |
| 其它备注: | |
科研产出