专利名称: 半导体器件的接触的制造方法及具有该接触的半导体器件
专利类别: 国际专利
申请号: PCT/CN2011/000693
申请日期: 2011-04-20
专利号: GB2484637
第一发明人: 范正萍
其它发明人: 钟汇才;梁擎擎
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: GB2484637
专利摘要:
其它备注: 中国科学院微电子研究所