专利名称: 一种半导体结构及其制造方法
专利类别: 国际专利
申请号: PCT/CN2011/078877
申请日期: 2011-08-25
专利号: US8,906,753
第一发明人: 范正萍
其它发明人: 尹海洲;朱慧珑;骆志炯
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: US8,906,753
专利摘要:
其它备注: 中国科学院微电子研究所,北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司