2T纳米晶存储器阵列及其操作方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	2T纳米晶存储器阵列及其操作方法
专利类别:	发明专利
申请号:	201210048730.X
申请日期:	2012-02-28
专利号:	201210048730.X
第一发明人:	刘明;王琴;张满红;霍宗亮;谢常青;杨潇楠
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:	授权
专利证书号:	201210048730.X
专利摘要:
其它备注:	微电子重点实验室

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