专利名称: 具有改善的载流子迁移率的场效应晶体管器件及其制造方法
专利类别: 国际专利
申请号: PCT/CN2010/074234
申请日期: 2010-06-22
专利号: 9,240,351
第一发明人: 朱慧珑;骆志炯;尹海洲
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: 9,240,351
专利摘要:
其它备注: 十室