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专利名称: 金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201110161231.7
申请日期: 2011-06-15
专利号: 201110161231.7
第一发明人: 赵超;罗军;钟汇才;王文武
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: 201110161231.7
专利摘要:
其它备注: 十室
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