专利名称: 一种硅基绝缘体上锗衬底结构及其制备方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201210258454.X
申请日期: 2012-07-24
专利号: 201210258454.X
第一发明人: 王盛凯;刘洪刚;孙兵;赵威;薛百清
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: 201210258454.X
专利摘要:
其它备注: 高频高压中心