带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法
专利类别:	发明专利
申请号:	201310559750.8
申请日期:	2013-11-12
专利号:	201310559750.8
第一发明人:	刘新宇;许恒宇;汤益丹;蒋浩杰;赵玉印;申华军;白云;杨谦
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:	授权
专利证书号:	201310559750.8
专利摘要:
其它备注:	高频高压中心