中国科学院集成电路创新研究院（筹）2018年“集成电路先导技术—器件可靠性与仿真模型技术”研讨会第二次会议举办

　　10月12日，由中国科学院集成电路创新研究院（筹）工艺总体部策划并组织的“集成电路先导技术系列研讨会——器件可靠性与仿真模型技术”第二次会议在微电子所举办。微电子所党委副书记（主持工作）、副所长、集成电路创新研究院筹建组副组长戴博伟出席并致辞。所长助理、先导中心主任王文武，成都电子科大刘志伟副教授，中芯国际张启华总监、卜伟海总监、王文博经理、丁艳丽主任工程师特邀出席，微电子所都安彦、韦亚一、殷华湘、谢玲、杨涛、罗军、刘琦、吴振华、杨红等科研骨干参加研讨会。 

　　研讨会包括“集成电路可靠性与失效分析技术”和“纳米器件TCAD仿真技术研究”两个主题。殷华湘研究员首先介绍了微电子所的发展历程、科研方向和研究成果，以及中国科学院集成电路创新研究院（筹）的筹建思路、未来规划和任务使命。 

　　在“集成电路可靠性与失效分析技术”研讨分会场，北京大学王润声副教授介绍了16/14纳米及以下节点的偏压温度不稳定性和热载流子退化的寿命预测模型的研究成果，展望了未来可靠性领域随机电报噪声的研究方向。华东师范大学吴幸研究员介绍了器件可靠性在物理层面的表征分析方法，展示了基于MEMS加工技术的透射电子显微镜表征平台及其在研究器件结构和性能的调控关系方面的应用。浙江大学赵毅教授介绍了实验室自主搭建的超快速测试平台及其在器件参数提取和可靠性测试表征方面的研究成果。山东大学陈杰智教授介绍了存储器从二维到三维转型的必要性和合理性，3D NAND存储器需要在二维存储器上借鉴的地方，以及芯片可靠性测试、工艺优化、材料设计三者的相关性。华为海思刘长泽总监探讨了未来先进节点可能用到的工艺技术及相应的可靠性问题。芯恩肖德元副总裁介绍了无结晶体管的发展历史，并展示了在先进节点的器件制造方法方面的专利成果。 

　　在“纳米器件TCAD仿真技术研究” 研讨分会场，中科院半导体所姜向伟研究员介绍了数值模拟发展的趋势，密度泛函理论在新器件性能和芯片可靠性方面的应用，以及密度泛函理论在面向工业级全器件模拟方面的展望。上海大学陈竞哲副教授介绍了器件TCAD的概念和TCAD的发展背景，阐述了格林函数在处理量子输运的优势和用有限元基底替代DFT原子轨道基底的优势，并展示了产品对纳米线、FinFET器件特性的预测能力。 

　　与会人员还针对创新研究院未来发展，特别是器件可靠性及失效分析和TCAD仿真方向进行了技术交流，对创新研究院的发展提出了良好的意见建议。