中国科学院微电子研究所拟从中国科学院提名推荐“14纳米以下集成电路FinFET关键核心技术与应用”申报国家科学技术奖励-技术发明奖。特进行公示，公示材料附后。公示期：2025年06月16日-2025年06月20日。公示期内如对公示内容有异议，请您向科技处、纪监审办公室反应。
以单位名义提出的异议，应在异议材料上加盖单位公章，签署法定代表人姓名，并写明联系人地址、电话和电子信箱。以个人名义提出的异议，应在异议材料上签署真实姓名，并写明本人工作单位、联系地址、电话和电子信箱。
联系人及联系电话：唐璇/耿旖，电话：82995852/ 82995885，邮箱：tangxuan@ime.ac.cn/gengyi@ime.ac.cn。
科技处
2025年06月16日
技术发明奖
项目名称：14纳米以下集成电路FinFET关键核心技术与应用
拟提名者:中国科学院
完成人（完成单位）： 叶甜春（中国科学院微电子研究所），朱慧珑（中国科学院微电子研究所），赵超（中国科学院微电子研究所），王文武（中国科学院微电子研究所），殷华湘（中国科学院微电子研究所），罗军（中国科学院微电子研究所）
知识产权和标准规范等目录：
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知识产权(标准)类别 |
知识产权(标准) 具体名称 |
国家 (地区) |
授权号 (标准 编号) |
授权(标准发布)日期 |
证书编号 发布部门) |
权利人 (标准起 草单位) |
发明人(标准起草人) |
发明专利(标准) 有效状态 |
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发明专利权 |
一种调节 CMOS器件阈 值的方法及 CMOS器件 |
中国 |
CN107 195631 B |
2019年 11月12日 |
ZL2 0171 0272 336. 7 |
中国科学院微电子研究所 |
叶甜春，殷华湘，张青竹，赵超 |
有效专利 |
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发明专利权 |
CMOSFET device with controlled threshold voltage characteristics and method of fabricating the same |
美国 |
US841 0541B2 |
2013年 04月02日 |
US1 2/93 5364 |
中国科学院微电子研究所 |
王文武，朱慧珑，陈世杰，陈大鹏 |
有效专利 |
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发明专利权 |
CMOS器件及 调节CMOS器 件阈值的方法 |
中国 |
CN108 511392 B |
2019年 11月12日 |
ZL2 0181 0096 680. X |
中国科学院微电子研究所 |
殷华湘，姚佳欣，王文武，叶甜春 |
有效专利 |
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发明专利权 |
控制阈值电压特性的 CMOSFETs器 件结构及其制 造方法 |
中国 |
CN101 964345 B |
2013年 11月13日 |
ZL2 0091 0089 597. 0 |
中国科学院微电子研究所 |
王文武，朱慧珑，陈世杰，陈大鹏 |
有效专利 |
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发明专利权 |
一种半导体器件及其制造方法 |
中国 |
CN102 299156 B |
2014年 02月12日 |
ZL2 0101 0220 686. 7 |
中国科学院微电子研究所 |
王文武，韩锴，王晓磊，马雪丽，陈大鹏 |
有效专利 |
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发明专利权 |
多栅晶体管及其制造方法 |
中国 |
CN102 881724 B |
2016年 08月17日 |
ZL2 0111 0199 673. 0 |
中国科学院微电子研究所 |
罗军，赵超，李俊峰 |
有效专利 |
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发明专利权 |
一种围栅器件及其制造方法 |
中国 |
CN110 233108 B |
2022年 07月22日 |
ZL2 0191 0549 560. 5 |
中国科学院微电子研究所 |
叶甜春，殷华湘，张青竹，姚佳欣 |
有效专利 |
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发明专利权 |
提高浅沟槽隔离化学机械平坦化均匀性的方法 |
中国 |
CN102 789974 B |
2015年 10月21日 |
ZL2 0111 0125 319. 3 |
中国科学院微电子研究所 |
杨涛，刘金彪，李俊峰，赵超 |
有效专利 |
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发明专利权 |
半导体装置及其制造方法 |
中国 |
CN104 681557 B |
2018年 02月06日 |
ZL2 0131 0627 406. 8 |
中国科学院微电子研究所 |
朱慧珑 |
有效专利 |
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发明专利权 |
半导体装置及其制造方法 |
中国 |
CN104 681563 B |
2018年 05月08日 |
ZL2 0131 0630 180. 7 |
中国科学院微电子研究所 |
朱慧珑 |
有效专利 |
综合信息