中国科学院微电子研究所拟从专家提名推荐“新型薄膜器件建模理论和方法”申报国家科学技术奖励-自然科学奖。特进行公示，公示材料附后。公示期：2025年06月16日-2025年06月20日。公示期内如对公示内容有异议，请您向科技处、纪监审办公室反映。
以单位名义提出的异议，应在异议材料上加盖单位公章，签署法定代表人姓名，并写明联系人地址、电话和电子信箱。以个人名义提出的异议，应在异议材料上签署真实姓名，并写明本人工作单位、联系地址、电话和电子信箱。
联系人及联系电话：唐璇/耿旖，电话：82995852/ 82995885，邮箱：tangxuan@ime.ac.cn/gengyi@ime.ac.cn。
科技处
2025年06月16日
自然科学奖
项目名称： 新型薄膜器件建模理论和方法
拟提名者: 施毅（南京大学），赵元富（中国航天科技集团有限公司第九研究院），杨国伟（中山大学），金海（华中科技大学），周志华（南京大学）
完成人（完成单位）： 李泠（中国科学院微电子研究所），耿玓（中国科学院微电子研究所），汪令飞（中国科学院微电子研究所），卢年端（中国科学院微电子研究所），张锋（中国科学院微电子研究所）
论文（专著）：
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序号 |
论文（专著）名称/刊名/作者 |
年卷页码(xx年xx卷xx页) |
发表时间（年月日） |
通讯作者（含共同） |
第一作者（含共同） |
国内作者 |
论文署名单位是否包含国外单位 |
国内/国外代表性论文（专著） |
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1 |
General Einstein relation model in disordered organic semiconductors under quasiequilibrium/Physical Review B/Ling Li, Nianduan Lu, Ming Liu, Heinz Bässler |
2014年90卷214107-1页 |
2014年12月15日 |
Ming Liu（刘明），Heinz Bässler |
Ling Li（李泠） |
李泠，卢年端，刘明 |
是 |
国外代表性论文 |
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2 |
Thermoelectric Seebeck effect in oxide-based resistive switching memory/Nature Communications/ Ming Wang, Chong Bi, Ling Li, Shibing Long, Qi Liu, Hangbing Lv, Nianduan Lu, Pengxiao Sun, Ming Liu |
2014年5卷4598.1页 |
2014年8月20日 |
Ming Liu（刘明） |
Ming Wang（王明），Chong Bi（毕冲） |
王明，毕冲，李泠，龙世兵，刘琦，吕杭炳,卢年端，孙鹏霄，刘明 |
否 |
国外代表性论文
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3 |
A New Surface Potential-Based Compact Model for a-IGZO TFTs in RFID Applications/2014 IEEE International Electron Devices Meeting/Zhiwei Zong, Ling Li, Jin Jang, Zhigang Li, Nianduan Lu, Liwei Shang, Zhuoyu Ji, Ming Liu |
2014年35.5.1页 |
2015年2月23日 |
Ling Li（李泠），Ming Liu（刘明） |
Zhiwei Zong（宗旨威 |
Zhigang Li（李志刚）, Nianduan Lu（卢年端）, Liwei Shang（商立伟）, Zhuoyu Ji（姬濯宇） |
是 |
国外代表性论文 |
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4 |
A New Surface Potential and Physics Based Compact Model for a-IGZO TFTs at Multinanoscale for High Retention and Low-Power DRAM Application/IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)/Jingrui Guo, Kaizhen Han, Subhali Subhechha, Xinlv Duan, Qian Chen, Di Geng, Shijie Huang, Lihua Xu, Junjie An, Gouri Sankar Kar, Xiao Gong, Lingfei Wang, Ling Li, Ming Liu |
2021年8.5.1页 |
2022年3月9日 |
Lingfei Wang（汪令飞）, Ling Li（李泠） |
Jingrui Guo（郭婧蕊） |
郭婧蕊，段新绿，陈倩，耿玓，黄施捷，徐丽华，安俊杰，汪令飞，李泠，刘明 |
是 |
国外代表性论文 |
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5 |
Thermal effect on endurance performance for 3-dimensional RRAM crossbar array/Chinese Physics B/Nianduan Lu, Pengxiao Sun, Ling Li, Qi Liu, Shibing Long, Lv Hangbing, Ming Liu |
2016年25卷056501-1页 |
2016年4月5日 |
Ling Li（李泠） |
Nianduan Lu(卢年端), Pengxiao Sun (孙鹏霄) |
卢年端，孙鹏霄，李泠，刘琦，龙世兵，吕杭炳，刘明 |
否 |
国内代表性论文 |
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6 |
Physics-Based Device-Circuit Cooptimization Scheme for 7-nm Technology Node SRAM Design and Beyond/IEEE Transactions on Electron Devices/Qiang Huo, Zhenhua Wu, Xingsheng Wang,Weixing Huang, Jiaxin Yao, Jianhui Bu, Feng Zhang, Ling Li, Ming Liu |
2020年67卷907-914页 |
2020年1月29日 |
Zhenhua Wu（吴振华），Xingsheng Wang（王兴晟）， Feng Zhang（张锋），Ling Li（李泠） |
Qiang Huo（霍强） |
霍强,吴振华,王兴晟，黄伟兴,姚佳欣,卜建辉，张锋，李泠，刘明 |
否 |
国外代表性论文 |
综合信息