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Transphorm的第二款900V GaN FET进入量产

稿件来源:今日半导体 责任编辑:ICAC 发布时间:2020-08-25

  美国氮化镓场效应晶体管制造商Transphorm的第二款900V GaN FET现已投入生产,TP90H050WS的典型导通电阻为50mΩ,瞬态尖峰额定值为1000V,并且已通过JEDEC认证。其主要目标市场在工业和可再生能源方面,包括光伏逆变器、电池充电、不间断电源(UPS)、照明和储能等应用。此外,这些器件现在可以使三相工业系统和高压汽车电子产品充分利用GaN的速度,效率和功率密度。

  TP90H050WS于去年推出,是该公司继TP90H180PS之后的第二个900V器件。两片常关型功率晶体管采用标准TO-247封装,具有±20V的栅极鲁棒性,从而提高了其在电源系统中的可靠性和可设计性。Transphorm高速GaN和耐热性强的TO-247封装相结合,使系统在不带桥式图腾柱功率因数校正(PFC)的典型半桥配置中,可达到超过99%的效率,同时产生高达10kW的功率。

  伊利诺伊理工学院(IIT)目前正在ARPA-E电路计划中使用TP90H050WS,该计划将Transphorm的产品与IIT的固态开关拓扑独特地结合在一起。该项目旨在为可再生能源微电网生产可靠的固态断路器(SSCB)。它包括使用900V GaN器件开发自主运行,可编程和智能双向SSCB。

  IT的John Shen博士说:“Transphorm的GaN技术超出了我们的预期。它具有完整封装、 高功率密度、可靠的双向性,并且作为市面上唯一的900 V GaN器件,以一种小型封装提供了前所未有的功率输出。”

  Transphorm凭借其DC-AC逆变器评估板继续简化开发工作。 TDINV3500P100-KIT使用四个TP90H180PS 170mΩ FET设计,使用全桥拓扑来支持工作于100kHz或以上频率运行的单相逆变器系统。

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