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提高p-GaN栅极HEMT的可靠性

稿件来源:今日半导体 责任编辑:ICAC 发布时间:2020-11-30

  香港科技大学使用氮氧化镓(GaON)表面增强层(SRL)来提高p型栅极GaN沟道功率高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅极电压窗口和长期可靠性。与其他有关p-GaN HEMT的报告相比,该设备在10年的使用寿命中提供了最高的最大栅极电压。

  对于p-GaN栅极HEMT,研究人员使用了专为E模式p-GaN栅极功率HEMT设计的6英寸硅上GaN(GaN/Si)晶片。层结构为4.2μm高电阻GaN缓冲层,420nmGaN沟道,15nm Al0.2Ga0.8N和100nm p-GaN盖。覆盖层中掺杂了3x1019/cm3的镁。

  使用感应耦合氧等离子体处理,然后在氮气中于800°C退火30分钟,创建GaON SRL。二次离子质谱(SIMS)显示氧渗透到p-GaN中的深度约为5nm。SRL所需的等离子体/退火处理仅使表面粗糙度略有增加,为0.44nm。

  然后通过三氯化硼(BCl3)电感耦合等离子体蚀刻形成带有SRL帽的p型栅极。通过4nm AlN的等离子体增强原子层沉积(PEALD)和60nm SiNx的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成钝化层。然后打开源/漏接触窗,以沉积退火的钛/铝/镍/金欧姆接触。

  使用多能量氟离子注入实现了器件隔离。镍/金栅极接触是在另一个接触窗打开过程之后进行的。该设备配有接触垫并与HEMT触点互连。

  HEMT的尺寸是栅极长度为4μm,接触窗口为2μm,栅-源极/源极间距分别为15μm和2μm。

  对于0.01mA/mm的漏极电流,该器件的阈值电压(VTH)为+1.4V,与不带SRL的比较器件相同。两种晶体管均具有90mV/10倍亚阈值摆幅,并且开/关电流比高,大于108。11Ω-mm的比导通电阻(RON)被描述为“低”。

  在关断状态下的测量中,当栅极和衬底接地到源电压水平时,漏极偏压在击穿前达到740V,电流为1μA/mm。超过550V漏偏压的主要泄漏源来自于衬底。这些结果表明,SRL的部署既不会显着改变正向传导特性,也不会损害器件的反向阻断能力。

  通过SRL插入,正向栅极击穿电压从10.5V增加到12.7V,同时将栅极泄漏降低了两个数量级。使用Fowler-Nordheim隧穿拟合栅极电流-电压行为,研究人员估计带SRL的φb为1.1eV,不带SRL的φb为0.6eV。相对于GaN的3.4eV,较高的势垒反映了GaON的4.1eV带隙较宽。

  击穿电压在150°C时有所增加,在使用SRL时击穿电压增加到13.4V,在没有SRL的情况下击穿电压增加到11.4V,在较高的温度下,栅极泄漏的减少量减少了两个数量级。

  随时间变化的栅极击穿测试在一定范围的偏差下进行。SRL可以提高10年/1%失效水平7.8V的最大栅极电压(VG-max)的估算值,而没有SRL的则为5.9V。SRL器件的栅极电压范围扩大了,可以为栅极驱动器电路提供设计灵活性。

  研究小组表示,在较高的栅极应力下,较高的栅极泄漏电流进一步证明了p-GaN表面区域得到了增强,以通过部署GaON SRL更好地维持对高能载流子的轰击。

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