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多量子阱(MQW)III氮化物二极管阵列的同时发射检测能力

稿件来源:今日半导体 责任编辑:ICAC 发布时间:2020-10-26

  中国和日本的研究人员一直在探索多量子阱(MQW)III氮化物二极管阵列的同时发射检测能力。研究团队希望可以用这种多功能设备,开发用于物联网(IoT)部署的先进整体式III族氮化物信息系统。

  III族氮化物二极管具有发射和检测光的能力。研究人员成功地组合了这些功能,同时执行了这些功能。

  MQW二极管阵列是在蓝宝石材料上使用2英寸直径的III型氮化物制造的。使用感应耦合等离子体反应离子蚀刻将n-GaN接触层暴露到750nm的深度。通过蒸发技术将氧化铟锡透明导体材料施加到p-GaN接触层上,然后进行退火。剥离工艺用于沉积和构图用于n电极和p电极的铬/铂/金金属。

  4x4阵列中的设备通过填充有二氧化硅绝缘层的沟槽,结合垫和金属线由钛/铂/金形成。各个MQW二极管的尺寸为1mmx1mm。

  442nm波长的电致发光峰与光响应光谱的尾部有36nm的重叠。两个阵列元素之间的通信通过伪随机二进制序列(PRBS)调制达到了每秒2k位的速率。二进制脉冲调制的峰谷电压差为1.6V。检测到的信号约为1.5mV高。

  研究人员实现了自动光亮度控制设置,其中405nm激光指示器可以发出编码的脉冲序列,该脉冲序列将被阵列检测到,然后由控制电路进行解释,以考虑环境光条件将光输出调整到所需的水平通过反馈。

  该团队正在开发电路,以有效提取光电流,同时这些器件也同时作为LED工作。同时照明成像系统具有三种操作模式:照明、成像和同时照明成像。这意味着micro-LED屏幕可以同时显示图像。环境光条件的变化会在芯片内部产生光电流,从而允许反馈信号来控制操作。

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