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新闻博览

微电子所青年科研人员获中国科学院多项表彰
2024-05-22

5月14日,中国科学院团委在京举行了第二届中国科学院青年五四奖章和2023年度中国科学院“两优两红”颁奖仪式。微电子所罗庆研究员获得第二届“中国科学院青年五四奖章”,彭松昂副研究员获评“中国科学院优秀共青团干部”。罗庆现任微电子所重点实验室主任,主要研究方向为国家发展亟缺的新型存储器,作为项目负责人获批...


我国科学家开发出可规模制造的光子芯片材料
2024-05-10

光子芯片是未来信息产业的重要基础,业界一直在寻找可规模制造光子芯片的优势材料。中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣领衔的团队在该领域取得突破性进展,他们开发出钽酸锂异质集成晶圆,并成功用其制作高性能光子芯片。欧欣介绍,不同于电子芯片以电流为信息载体,光子芯片以光波为信息载体,能实现低功耗...


上海微系统所等开发出可批量制造的新型光学“硅”与芯片技术
2024-05-09

5月8日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣团队在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展。相关研究成果以《可批量制造的钽酸锂集成光子芯片》为题,发表在《自然》上。欧欣团队采用基于万能离子刀的异质集成技术,通过氢离子注入结合晶圆键合的方法,制备了高质量硅基钽酸锂单晶薄膜...


微电子所在高密度低应力硅通孔(TSV)研究方面取得新进展
2024-05-06

近日,微电子所新技术开发部微系统技术实验室焦斌斌研究员团队在高密度低应力硅通孔研究方面取得新进展。目前,高密度TSV互连在近传感器和传感器内计算、混合存储器立方体、高带宽存储器、互补金属氧化物半导体图像传感器、制冷和非制冷焦平面阵列、有源像素传感器等具有重要应用前景。但在高密度应用场景下,由于硅衬底...


微电子所在光刻胶模型校准研究方面取得重要进展
2024-04-24

近期微电子所EDA中心计算光刻团队与腾讯量子实验室,围绕光刻胶模型校准的合作研究取得了重要进展。针对当前光刻胶模型校准难题,团队通过深入的理论和实验研究,结合具体工艺条件,开发了基于机器学习的光刻胶模型校准贝叶斯优化方法。本次合作研究旨在研究人工智能、机器学习在计算光刻领域的应用,提高光刻胶模型准确...


微电子所在纳米森林柔性湿度传感器及其创新应用研究方面取得新进展
2024-04-12

近日,微电子所健康电子中心黄成军研究员和毛海央研究员团队在纳米森林柔性湿度传感器方向取得新进展。现有湿度传感器在低湿条件下存在灵敏度低的问题,难以满足高精度检测要求。团队开发了一种基于碳量子点@纳米森林复合结构的新型湿敏材料,利用纳米森林的高孔隙率和超亲水特点,及其与柔性基底可兼容制备和晶圆级制备...


微电子所在芯片自适应微流散热方面取得新进展
2024-04-07

近日,微电子所新技术开发部微系统技术实验室焦斌斌研究员团队在芯片自适应微流散热领域取得了新进展。本研究从动物通过毛孔蒸发汗液以增强散热获得灵感,基于仿生原理,在硅基微流冷板内制备了温敏阀体结构及工质蒸发区。当芯片在极端高功耗工况下工作使自己温度急剧升高时,温敏阀体打开并释放冷却工质至蒸发区以实现...


微电子所领导班子集体与领导人员获中国科学院嘉奖
2024-04-07

近日,中国科学院公布了对院属单位、院机关部门2023年度考核优秀领导班子及领导人员予以嘉奖的决定。优化战略布局,抢占科技制高点,组织凝练集成电路三维制造技术与工艺重大项目,全力推进重点实验室建设,基础研究成果量质同步提升,产出了一批重要原创成果,凝聚了一批领军人才队伍,各项重点工作取得突出进展。2024...


科技自立自强之路
2024-03-25

习近平总书记深刻指出,科技自立自强是国家强盛之基,是国家发展的战略支撑。从“向科学进军”到“建设创新型国家”,从“创新驱动发展”到“建设科技强国”,党领导我国科技事业走出了一条中国特色自主创新、自立自强之路。一代代科技工作者不畏艰难,勇攀高峰,上天、入地、下海,基础研究、技术攻关、大国重器……一...


自力更生,“从0到1”
2024-03-14

王守觉12岁那年,抗日战争全面爆发。他亲眼目睹盘旋在苏州上空的日本飞机飞得很低,用机枪向下扫射。由于当时制造技术落后,我方高射炮极度短缺,也没有飞机,只能干着急。那是他第一次真切体会到“落后就要挨打”的滋味。“产业报国、自力更生!”从小萌发的志向和抱负,让王守觉在我国集成电路事业的初创期披荆斩棘,...


微电子所在数模混合存算一体芯片方面取得重要进展
2024-02-27

当前,基于边缘智能计算设备运行的人工智能应用日趋复杂及高精度,为降低边缘设备运行的延迟和功耗,存算一体技术被应用在边缘设备端,通过减小数据搬运的开销最大化减少边缘设备上的延迟与功耗。但传统的存算一体宏仅支持使用整数型数据计算,难以支持日趋高精度、高复杂度以及片上训练的边缘端智能计算任务。且仅使用...


微电子所在片上学习存算一体芯片方面取得重要进展
2024-02-27

当前,智能计算设备呈指数式增长,迫切需要低功耗与低延迟执行神经网络推理任务,以及不依赖云端的片上学习能力来动态适应边缘端复杂多变的应用场景。非易失存算一体技术可最大化减少数据搬运带来的功耗和延迟并消除静态功耗,为边缘智能计算设备提供了一种极具竞争力的方案。非易失存算一体芯片近年来持续快速发展,其...


侯建国在京区研究所检查督导重大科研项目攻关
2024-02-21

新春伊始,2月19日,中国科学院院长、党组书记侯建国先后到中国科学院物理研究所、计算技术研究所、微电子研究所等单位,对重大科研项目攻关开展现场检查,对抢占科技制高点重点任务进行督导。中国科学院副院长、党组成员常进、丁赤飚分别陪同。侯建国一行现场检查了相关重大科研项目攻关情况,与研究所负责人、科研骨干...


加快实现高水平科技自立自强
2024-02-20

习近平总书记指出:“必须加强科技创新特别是原创性、颠覆性科技创新,加快实现高水平科技自立自强,打好关键核心技术攻坚战,使原创性、颠覆性科技创新成果竞相涌现,培育发展新质生产力的新动能。”新春伊始,我国探月工程四期正稳步推进;中国科学院高能物理研究所“拉索”团队紧锣密鼓地优化数据处理方法、提高测量...


“溶剂筛”精准发力 二极管性能飙升
2024-02-20

钙钛矿材料具有光电性能优异、制备成本低的优点。与目前常见的有机发光二极管(OLED)相比,钙钛矿发光二极管可以将色彩纯度提升至少1倍。近年来,钙钛矿发光二极管的发光效率持续提升,但稳定性仍制约其应用。近日,记者从中国科学院宁波材料技术与工程研究所获悉,该所先进纳米光电材料与器件团队通过开发“溶剂筛”,...


微电子所青促会“芯•文化”论坛2024年第一期学术交流会
2024-01-26

1月10日,微电子所青促会举办“芯·文化”论坛2024年第一期学术交流会。来自全所各部门的科研人员及研究生共50余人参加了交流活动。本次会议的主题为“IEDM 2023分享交流”,邀请到所内10位参加2023年IEEE 国际电子器件会议(IEDM)的科研人员作分享交流报告。李泠副所长出席会议并致辞。本次会议聚焦IEDM 2023研究热点...


微电子所在存内高维计算时空信号编码方面取得进展
2024-01-25

时空信号是指在特定时间窗口内并包含有多个通道的数据信息,如生物信号、气候信号、视频信号以及多模态的各种传感器信号等等。高维计算借鉴了大脑处理信息的方式,通过将原始数据映射到高维空间,利用超向量的分布式全息方式来表示数据,并通过绑定、捆绑和重排等轻量化操作来处理数据。但由于高维计算是一种数据密集型...


微电子所在多模态三维神经形态计算领域取得重要进展
2024-01-15

人脑是一个高度整合的器官,通过多感官系统处理信息。第1层和第2层器件构建的多时间尺度储备池计算网络用来模拟人类的耳朵捕捉声音信息,第3层器件一部分用于构建卷积神经网络模拟人类的眼睛捕捉图像信息,一部分构建全连接网络用于多感官信号的分类和识别。该成果以题High Area EfficiencyMultimodal Neuromorphic Comp...


微电子所在CAA结构的3D DRAM研究领域取得重要进展
2024-01-15

随着尺寸微缩,1T1C结构DRAM的存储电容限制问题愈发显著,导致传统1T1C-DRAM面临微缩挑战。针对平面结构IGZO-DRAM的密度问题,微电子所重点实验室刘明院士团队在2021年及2022年IEDM国际大会报道的垂直环形沟道结构。IGZO晶体管的基础上,分析了沉积IGZO沟道的ALD工艺对于器件性能及稳定性的调控作用,研究了堆叠第二层IG...


微电子所在IGZO 2T0C DRAM多值存储领域取得重要进展
2024-01-15

IGZO薄膜晶体管由于其极低的关态电流、较高的迁移率和低温工艺,在新型DRAM的应用中备受关注。针对上述挑战,微电子所刘明院士团队与北京超弦存储研究院赵超研究员团队联合在2023年国际电子器件大会上首次报道了具有单元内阈值电压补偿技术的双栅IGZO 2T0C DRAM。电路层面上,提出了一种新型的双栅2T0C DRAM结构,通过全...