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科研动态

负电容环栅纳米线晶体管-电路仿真研究

稿件来源:ICAC 责任编辑:ICAC 发布时间:2020-06-02

  摩尔定律推动了持续50年的集成电路的发展,然而,时至今日,由于物理极限的限制,晶体管的进一步微缩已经举步维艰。为了进一步增加集成电路性价比,一些基于新原理、新材料、新工艺的晶体管不断被提出,其中负电容场效应晶体管是近年来被广泛研究的对象之一。负电容晶体管可以克服“玻尔兹曼热限制”,即在室温下突破亚阈值摆幅60mV/decade的最低限制,降低电源电压和电路功耗,有望被应用于3nm及以下技术节点。 

  由于负电容晶体管理论的复杂性,对负电容晶体管以及由其构建的电路特性的理论研究至关重要。近日,中科院微电子所先导中心朱慧珑研究员课题组在英国皇家物理学会《Semiconductor Science and Technology》上发表了文章:Investigation of Device-Circuit for Negative Capacitance Vertical Nanowire FETs Based on SPICE Model DOI: 10.1088/13616641/ab8e0e)。文章中,通过伯克利BSIM-CMG模型和Landau-Khalatnikov模型耦合建立了适用于3nm技术节点以下的负电容垂直纳米线晶体管的紧凑模型;将Landau-Khalatnikov模型表征的“S曲线分为四个工作区域,并从数学模型和物理机制上进行了解释,同时提出了负电容晶体管设计规则;基于CMOS反相器电路,提出了晶体管栅极功函数和负电容协同设计的方法;通过环形振荡器电路的仿真,分析了电路的能量-延时特性,指出了负电容晶体管的优越性。此外,本文所用仿真参数是基于我们研发的铁电材料HfxZr1-xO2,工艺与主流的CMOS制程兼容,便于应用。 

  文章中,如1.a中点“a”代表负电容自由能关系中的不稳定点,在该点极化方向开始转变,导致了晶体管电流的增大或减小。因此晶体管阈值电压调节到点“a”位置时,将获得最佳的器件性能。1.b展示了负电容晶体管的四个工作区域,当负电容晶体管工作在第二和第四象限时,将会获得较佳的器件性能。1.c-d展示了金属栅功函数对负电容晶体管以及由其构建的CMOS反相器电路特性的影响。文章指出,当负电容晶体管阈值电压过小时,会造成由其构建的CMOS反相器电路增益的严重损失。因此,对于由负电容晶体管构建的集成电路,需要进行电路和器件的协同设计。 

  

1.a)不同负电容面积下的负电容晶体管的Ids-Vgs特性,(b)“S曲线”的四个工作区域,(c)不同金属栅功函数下的负电容晶体管的Ids-Vgs特性,(d)不同金属栅功函数下的CMOS反相器的特性。 

  2.a-c展示了基于负电容晶体管构建的7阶环形振荡器电路的能量消耗以及传播延时的特性。结果显示,由于负电容晶体管具有更大的栅极电容,因此由其构建的环形振荡器具有更大的动态能量消耗(2.a),然而更大的驱动电流使其拥有更小的传播延时(2.b)。此外,通过能量-延时关系分析,在电源电压较小的条件下,电路面积相同时,相同的能量消耗下,负电容晶体管具有更小的传播延时;相同的延时下,负电容晶体管具有更小的能量消耗。 

  

2. 7 阶环形振荡器特性:(a)能量特性,(b)传播延时特性,(c)能量-延迟特性。 

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