科研动态

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微电子所在集成电路先导工艺源漏接触技术研究方面取得新进展
2021-06-23

近日,微电子所集成电路先导工艺研发中心在源漏接触技术研究方面取得重要进展。随着集成电路制造技术进入10纳米及以下节点,器件寄生电阻已超过沟道电阻使得器件延迟与功耗显著增大。阻率可降低源漏寄生电阻,对提升器件性能具有重要意义。提高Si表面杂质激活浓度(Ns)以有效增加接触界面的载流子隧穿概率,是减小接触...


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微电子所在垂直纳米环栅器件方向取得新进展
2021-05-19

微电子所集成电路先导工艺研发中心朱慧珑研究员团队于2016年提出、并于2019年在世界上首次研发成功自对准金属栅的垂直环栅纳米晶体管,相关成果发表在国际微电子器件领域的顶级期刊《IEEE Electron Device Letters》上。此后,团队对原子层选择性刻蚀、阈值电压调节、沟道锗组分、硅化物工艺、可靠性和热预算等重要工艺...


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翻转90°的电子世界,微电子所新型GAA结构研究获进展
2021-06-04

中科院微电子所近期发表了先导工艺研发中心团队在垂直纳米环栅器件领域获得的最新进展,该类型器件通过在垂直方向构建晶体管结构,大大减少了器件占用面积,在3nm以下先进集成电路制造工艺领域极具应用潜力。针对器件样品,研究了VSAFET的特性,以及金属硅化物工艺、 Si-Cap 、沟道Ge含量和热处理过程等器件性能影响因素...


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微电子所在全线性神经元SOT磁性存储器件研究中取得新进展
2021-05-21

近期,微电子所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组与中科院半导体所王开友研究员课题组合作研制出全线性的电流诱导多态自旋轨道耦合( SOT )磁性存储器件,并实现了低能耗、可编辑的突触功能,对基于SOT-MRAM的低功耗存算一体逻辑和神经形态计算提供了一种新方法。当前,存算一体和人工智能神经网络芯片领域亟需...


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微电子所在基于先进FinFET工艺的硅量子器件研究中获进展
2021-02-09

量子计算是未来信息技术发展的重要方向,在一些特定领域具有较大应用潜力。基于硅量子点的量子比特是实现通用量子计算最有前景的方案之一,具有较长的退相干时间和出色的CMOS制造工艺兼容性。目前,硅量子点量子计算正处在采用集成电路先进制造工艺实现量子点规模集成并进行量子比特扩展验证的关键研究阶段。近期,中国...