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微电子所在全线性神经元SOT磁性存储器件研究中取得新进展
2021-05-21
近期，微电子所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组与中科院半导体所王开友研究员课题组合作研制出全线性的电流诱导多态自旋轨道耦合（ SOT ）磁性存储器件，并实现了低能耗、可编辑的突触功能，对基于SOT-MRAM的低功耗存算一体逻辑和神经形态计算提供了一种新方法。当前，存算一体和人工智能神经网络芯片领域亟需...
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微电子所在基于先进FinFET工艺的硅量子器件研究中获进展
2021-02-09
量子计算是未来信息技术发展的重要方向，在一些特定领域具有较大应用潜力。基于硅量子点的量子比特是实现通用量子计算最有前景的方案之一，具有较长的退相干时间和出色的CMOS制造工艺兼容性。目前，硅量子点量子计算正处在采用集成电路先进制造工艺实现量子点规模集成并进行量子比特扩展验证的关键研究阶段。近期，中国...
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微电子所在新型垂直纳米环栅器件研究中取得突破性进展
2019-12-09
垂直纳米环栅晶体管是集成电路2纳米及以下技术代的主要候选器件，但其在提高器件性能和可制造性等方面面临着众多挑战。在2018年底举办的国际集成电路会议IEDM上，来自IMEC的Ryckaert博士1将垂直纳米器件的栅极长度及沟道与栅极相对位置的控制列为关键挑战之一。朱慧珑课题组系统地研发了一种原子层选择性刻蚀锗硅的方法...
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微电子所在先进Co互连阻挡层研究领域取得进展
2020-06-17
近日，中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组在先进Co互连阻挡层研究领域取得了阶段性进展。目前， W和Cu被广泛应用于互连线中，但随着互连线的线宽不断减小，电子表面散射与晶界散射会使得互连线电阻率受尺寸效应影响迅速增大。针对先进Co互连，课题组采用Co 、 Ti靶材共溅射方法制备了非晶CoTi...
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STT-MRAM器件与集成技术研究
2020-05-29
近日，中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组在STT-MRAM器件与集成技术研究领域取得了阶段性进展。课题组联合北航赵巍胜教授团队以及江苏鲁汶仪器有限公司，基于8 吋 CMOS先导工艺研发线，自主研发原子层级磁性薄膜沉积、深紫外曝光、原子层级隧道结刻蚀以及金属互连等关键工艺模块，在国内首次实...
集成电路创新技术