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负电容环栅纳米线晶体管-电路仿真研究
2020-06-02
摩尔定律推动了持续50年的集成电路的发展，然而，时至今日，由于物理极限的限制，晶体管的进一步微缩已经举步维艰。为了进一步增加集成电路性价比，一些基于新原理、新材料、新工艺的晶体管不断被提出，其中负电容场效应晶体管是近年来被广泛研究的对象之一。负电容晶体管可以克服“玻尔兹曼热限制” ，即在室温下突破亚...
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硅工艺兼容的超短栅长二硫化钼晶体管研制
2020-05-26
近期，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在新型二维材料器件面向未来集成电路集成应用研发中取得重要进展，结合硅基FinFET工艺成功研制出10nm超短物理栅长二硫化钼晶体管，实现电流开关比达到107 。二维半导体材料具有原子级的厚度，被用作晶体管的沟道材料时，可提高栅电极控制沟道中载流子传输的能力，...
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锗硅高迁移率沟道器件技术与集成工艺研发阶段性进展
2020-05-20
近日，中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心王文武/李永亮课题组在锗硅高迁移率沟道器件技术与集成工艺研究领域取得了阶段性进展。课题组提出了一种在三层应变缓冲层（ SRB ）上外延锗硅材料的技术，并通过锗硅鳍（ Fin ）刻蚀、新的浅槽隔离（ STI ）工艺等关键模块研发，成功实现了50%锗硅Fin的导入集成，为锗...
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微电子所在阻变存储器与铁电FinFET方向取得突破性进展
2018-12-10
近日， 2018国际电子器件大会（ IEDM ）在美国旧金山召开。会上，微电子所刘明院士科研团队展示了28纳米嵌入式阻变存储器可靠性优化以及基于HfZrO铁电FinFET器件的最新研究成果。针对先进工艺节点的嵌入式存储器缺失问题，刘明院士团队与殷华湘研究员合作提出了基于HZO铁电FinFET的混合存储器件。基于HfZrO2铁电材料的Fi...
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微电子所在新型硅基环栅纳米线MOS器件研究中取得重要进展
2018-04-24
近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在面向5纳米以下技术代的新型硅基环栅纳米线（ Gate-all-around silicon nanowire ， GAA SiNW ） MOS器件的结构和制造方法研究上取得重要进展。针对上述纳米线晶体管架构在集成电路发展应用中所面临的难题，殷华湘研究员研发团队提出在主流硅基FinFET集成工艺基础...
集成电路创新技术