科研动态

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微电子所先导中心准原子层刻蚀技术最新进展
2020-06-02

近日,中科院微电子所先导中心在美国电化学会《固态科学与技术杂志》发表了文章: Study of Isotropic and Si-Selective Quasi Atomic Layer Etching of Si1 - xGex ( DOI : 10.1149/2162 - 8777 / AB80AE ) 。文章系统介绍了一种全新的集成电路刻蚀技术:各向同性和硅选择性的锗硅准原子层刻蚀技术( quasi - Atomic...