Module

设备名称

主要工艺能力

Litho

步进式光刻机1

1.分辨率：0.5μm；
2.曝光波长：365nm；
3.对准精度：150nm。

步进式光刻机2：

1.分辨率：0.18μm；
2.曝光波长：248nm；
3.对准精度：100nm。

双面步进式光刻机1

1.分辨率：1μm；
2.对准精度：1.5μm。

双面接近式光刻机2

1.分辨率：1μm；
2.对准精度：3μm。

电子束光刻机

1.适用于8以及以下英寸晶片加工；
2.最小分辨率：20nm及以下；

涂胶显影机

1.涂胶均匀性：（膜厚: 3500？） 3δ≦30？
2.显影均匀性：3δ≦25nm     

ETCH

栅刻蚀机-1

130nm技术代设备
Chm1：多晶硅
Chm2：HK/MG刻蚀腔体

栅刻蚀机-2

90nm技术代设备

介质刻蚀机-1

130nm技术代设备
Chm1：SiO2腐蚀
Chm2：SiNx腐蚀

介质/TSV刻蚀机-2

Chm1:  Cont./Via/Spacer 刻蚀
Chm2：TSV 刻蚀，ER> 8μm/min.， AR~30

金属刻蚀机

0.35μm技术代设备

等离子体去胶机

Furnace

扩散炉

Tube1：dry oxide：50A-2000A，<1150C
Tube2:   Wet oxide：500-10000A  ,<1150C
Tube3:   Alloy

多晶硅低压化学气相淀积

Tube1: LPPoly  Dep.   100A-6000A，均匀性<±3% 
Tube2:   Wet oxide：500-10000A  ,<1150C  
Tube3: Drive-in, <1150C                                                                               

IMP

超低能离子注入机

能量： 200ev~60Kev；Dose： 1E12~1E17；Tilt angle：0~60；注入不均匀性: <1.5(E<2Kev)

中束流离子注入机

能量：5Kev~250Kev；Dose：5E11~1E16；Tilt angle：  0~60；注入不均匀性:  <0.5%

RTA

硅化物热退火系统

1.380-1200°C，
2.温度精度<900°C，±1.5°C；>900°C，±3°C
3.温度均匀性<5C,3sigma

超薄介质生长及快速热退火系统

Chm1. ISSG SiO2, 厚度范围8A~200A
Chm2. 栅氧氮化：最薄膜厚8A, N concentration:  0.5-6E15 atom/cm^2
Chm3. 单片LPCVD Poly，400~800C，膜厚100~3000A，可自掺杂B，P
Chm4.spiking RTA：300-1200°C；±3°C； 最大升温速率250 °C /S

等离子氮化系统

Chm1. 单片LP Poly Si，400~800C，膜厚100~3000A
Chm2. 单片LP SiN，400~850C，膜厚70~5000A
Chm3. HK氮化,DPN
Chm4.HK氮化后RTA

Module

设备名称

主要工艺能力

CVD

等离子化学增强气相淀积

Chm1. Tensile/Compress Stress SIN DEP:
   1.wafer TEMP <450 ℃
   2.Tensile SIN≧1.0 Gpa, Compressive SIN≧-2.2Gpa
Chm2. PE OX,SIN,SION HM cap:
   1.SIN RI 2.00 +/- 0.02 for 3000 A ,U%< 1.5 % 1 sigma
   2.SION RI 1.75 +/- 0.02 ,U%< 1.5 % 1 sigma
Chm3. HARP STI Ox, gap fill:
   1.gap fill ok,AR>5:1，space100nm

钨化学气相沉积系统

1.thickness U% <3%, 1 sigma(3,000A film)
2. Gap fill >130nm hole,AR ratio>4:1

Epi

1. 外延生长纯Si，SiGe
2. B,P doping in process

等离子化学增强气相淀积改造

Chm1: PETEOS,膜厚 1,000-10,000 A, 沉积速率 >6,000  A/min 沉积温度 400 C 薄膜均匀性 <1.5 %, 1 sigma,应力 40～200 MPa
Chm2：PEBPTEOS，膜厚 1,000-10,000 A 沉积速率 >6,000  A/min 沉积温度 480 C,B% range mean3+/-0.15,range<0.3 Wt%,P% range mean6.9+/-0.15,range<0.2 Wt%
Chm3：PESiN，PESiON，沉积速率 > 7000  A / min，沉积温度 400 C，膜厚均匀性 Whin wafer <1.5 %, 1 sigma

ALD

HK材料原子层淀积设备

HK(HfO, La2O3，Al2O3.)原子层淀积，200~400C，5A~100A，科研型设备

MG材料原子层淀积设备

MG（TiN，TaN..)原子层淀积，5A~500A，科研型设备

介质材料原子层淀积设备

介质（SiN，SiO2）原子层淀积，5A~500A，科研型设备

PVD

电子束蒸发台

a. 沉积材料：Al, Cr, Ti, Ni等。
b. 沉积速率： 1～15A/s
c. 膜厚度：500A~2μm

高k金属栅溅射台

有三个腔体，９个靶位，可实现两靶及三靶共溅射，已实现沉积Ta，TaN，TaOx，Ti，TiN，TiOx，Hf，HfO2，Ge，Ni，NiPt，TiAl，TaALN，W，WN等多种薄膜的沉积
可实现反应溅射，生成氮化物或氧化物
均匀性<±3%
温度～300℃

MEMS用金属溅射台

有七个工艺腔体，12个靶位，可实现，两靶及三靶共溅射，已实现沉积ALN，Al，Ge，Mo，PZT，VOx　Ta，Ru，MgO,W,CoFeB,Co,Pt等多种薄膜的沉积。
可实现反应溅射，生成氮化物或氧化物
均匀性<±3%,个别可到~1%;
温度～700C

互连与接触溅射台

Chm1. Ti, 膜厚范围20A-5000A, 片内均匀性 <5%，片间均匀性<5%
填孔性能bottom coverage>40%@0.13μm,AR 3.5:1,
Asymmetry<2.5:1，Overhang<25%
Chm2.TiN, 膜厚范围20A-5000A, 片内均匀性 <5%，片间均匀性<5%
填孔性能>70%@0.13 μm,AR 3.5:1, bottom coverage
Asymmetry<2.5:1，Overhang<15%
Chm3. Ni, NiPt膜厚范围50A-1000A, 片内均匀性 <3%,片间均匀性<3%
Chm4.Al, 膜厚范围100A-3μm, 片内均匀性 <3%，片间均匀性<3%

Module

设备名称

主要工艺能力

WET

全自动清洗机

1. wafer 干进,干出；wafer 干燥方式为IPA dryer
2. 4个化学槽，4个清洗槽；
  SPM-HQDR / DHF-EDR / APM-QDR / HPM-QDR, IPA dryer；
3. 颗粒要求：size 0.2μm < 20颗；
4. DHF腐蚀SiO2均匀性 < 5%；

半自动湿法腐蚀机

 5个化学槽，5个清洗槽；
BOE1-EDR / BOE2-EDR / (EG-HF)-EDR / DHF-EDR / H3PO4-HQDR,  BOE

单片清洗/腐蚀机

1. wafer 干进,干出；
2. 3种化学药剂；SC1 or dNH4OH / dHCL or SC2 / (dHF-HCL)

单片清洗/腐蚀机

1. wafer 干进,干出；
2. 3种化学药剂；TMAH / Solvent / DHF-DI O3

单片清洗/腐蚀机

1. wafer 干进,干出；
2. 3种化学药剂；d AR / SC1 / DSP+

单片清洗机

1. wafer 干进,干出；
2. 3种化学药剂；dHF-HON3 / SC1

CMP

化学机械研磨机

1）Dry in/Dry out
2）endpoint: STI CMP: R-TCM; POP CMP: R-OPM;
3）抛光均匀性：With in wafer: < 5%; Wafer to wafer: < 3%; Head to head: < 5%                                       

化学机械研磨机

1）Dry in/Dry out
2）endpoint: Poly CMP: R-TCM
3）抛光均匀性：With in wafer: < 5%; Wafer to wafer: < 3%; Head to head: < 5% 

化学机械研磨机

1）Dry in/Dry out
2）endpoint: metal gate and W: R-ECM
3）抛光均匀性：With in wafer: < 5%; Wafer to wafer: < 3%; Head to head: < 5%                                       

Metrology

应力测试仪

1.不接触的光扫描技术;2.硅晶圆尺寸：75mm至200mm;3.薄膜压力测量的范围：1兆帕至4千兆帕;4.自动的光强调整;5.自动切换的双光路波长;6.工作温度范围：室温至500℃

方阻\CV测试仪

测试范围：10Ω/sq to 10000Ω/sq；最小测量结深：5nm；准确性：<3%

四探针测试仪

测试范围：> 5 mΩ/sq. to < 5 MΩ/sq.           测试重复性：<0.2% (1σ)，测试准确性：<1%

光学轮廓仪

垂直分辨率<0.1nm，RMS重复率：0.05nm，测试的台阶高度精确度0.8%，1σ重现性0.1%

台阶仪

测量重复性6？，1δ；最大扫描长度55mm；垂直测量范围524μm

在线膜厚仪

单层及多层透明或半透明膜，反射及椭偏两种模式

椭偏膜厚仪

单层及多层透明或半透明膜

线宽量测仪

1.最小分辨率：5nm及以下；
2.量测重复性：静态:2nm(3δ)/静态(A/F 10):3nm(3δ)/动态(10 次):10nm(3δ)；
3.量测位置准确性：±5μm；

套刻量测仪

AFM

扫描电镜S4800

二次电子分辨率：1.0nm（15kV），1.4nm（1kV）   放大倍率：20倍-80万倍

扫描电镜S5500

二次电子分辨率：0.4nm（30kV），1.6nm（1kV）   放大倍率：60倍-200万倍

电学测量仪Keithley4200-SCS

电压<100V,电流精度PA

键合

设备名称

主要工艺能力

8inch圆片键合

SUSS ABC200 Cluster Fusion Bonding

对准精度≤0.2μm，湿法清洗、Plasma激活、IR检测

SUSS ABC200 Cluster Eutectic Bonding

对准精度≤3μm，键合温度：室温~500℃，温度控制精度：±1℃，最大升温速率：25℃/min，腔体压力范围：5mbar~3000mbar，最大键合力：20KN

EVG640&520IS

对准精度≤5μm，键合温度：室温~550℃，温度控制精度：±1℃，最大升温速率：45℃/min，腔体压力范围：4mbar~2600mbar，最大键合力：75KN

红外检测

IR红外显微镜

用于检测盖帽对准精度与键合质量

IR键合缺陷检测仪

用于检测扩散键合质量

吸气剂溅射

LLS EVO Sputter

Ti、TiZrV、ZrCoRe薄膜

测试

设备名称

主要工艺能力

晶圆级测试

晶圆级MEMS自动化测试系统

变温真空探针台测试，并且搭配黑体、激光测振仪等，可以实现红外探测器、红外焦平面和压力传感器（负压）的测试，并且可精确测量MEMS器件的动态特性和形貌特性。

器件级测试

器件级MEMS智能化测试系统

红外、加速度计、陀螺仪及压力传感器等器件性能测试

可靠性测试机失效分析

高温老化试验箱

125℃或150℃下1000h

高低温交变湿热试验箱

-40℃~150℃，40%~95%R.H或85℃/85R.H/额定偏压

温度循环试验箱

-65℃~150℃，平均升温速率大于5℃/min

温度冲击试验箱

-40℃~150℃，三箱式

高压蒸煮试验箱

121℃，100%R.H.2atm

振动台

20Hz~5000Hz，0~100g

高加速冲击台

500g~10000g

后道

设备名称

主要工艺能力

机械划片

Disco DAD3650双轴半自动机械划片机

4inch~8inch晶圆划片

倒装焊

Tresky 3202半自动多功能倒装焊机

贴装精度优于±5μm，支持贴装芯片大小为0.2mm×0.2mm ~40mm ×40mm,可完成芯片症状与倒装的热压、共晶贴装

引线键合

HYBond 626半自动超声引线键合机

集球焊、楔焊、金球、金柱、梁式引线等应用为一体，Z轴键合头可根据参数设定实现半自动作业

回流

ATV-SOR706真空回流炉

配备无油干泵及分子泵高真空系统，采用红外石英管加热，加热面积达240mm×313mm，最高加热温度达500℃，控温精度±0.5℃，极限真空达5×10-4Pa，温度均一性优于±3℃。炉腔带有分区加热功能，可在器件封帽前实现吸气剂的激活，并可焊料要求提供惰性气氛保护，如N2H2、甲酸等。

排气

10工位的排气台

极限真空可达5×10-6Pa

检漏

Varian VS MD30移动式检漏仪

采用干式涡轮泵，最小检测漏率：5×10-12atm.cc/s.

气密封装

SSEC 2400E平行封焊机和大族激光焊接机

多样化气密性封装