模块名称

主要特征

主要用途

双面光刻

双面对准精度1.5μm

晶圆背面图形化

低应力多晶硅淀积

应力-40~+40MPa

MEMS结构层或牺牲层

XeF2腐蚀

SiO2选择比：>600:1

SiNx选择比：>60:1

MEMS结构释放

HF Vapor

无粘连氧化硅各向同性腐蚀

MEMS结构释放

DRIE

深宽比：<50:1

MEMS结构加工

BESOI

顶硅厚度：10~100μm

BOX层厚度：0.5~10μm

MEMS结构材料

Cavity SOI

Cavity尺寸：

1×1~1000×1000μm2

MEMS结构材料

Al-Ge键合

键合环宽：>70μm

强度：>70MPa

晶圆级封装

Au-Sn键合

键合环宽:>120μm

强度：>60MPa

晶圆级封装