| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 半导体器件 | ; 马小龙;殷华湘;许淼;朱慧珑 | PCT/CN2012/001379 | 2012-10-22 |
| 半导体器件及其制造方法 | ; 马小龙;殷华湘;付作振 | PCT/CN2012/001377 | 2012-10-22 |
| 半导体器件及其制造方法 | ; 马小龙;殷华湘;付作振 | PCT/CN2012/001376 | 2012-10-22 |
| 半导体器件及其制造方法 | 殷华湘; 殷华湘;闫江;陈大鹏 | PCT/CN2012/001153 | 2012-08-27 |
| 半导体器件及其制造方法 | ; 殷华湘;秦长亮;徐秋霞;陈大鹏 | PCT/CN2012/001152 | 2012-08-27 |
| 半导体器件制造方法 | ; 孟令款 | PCT/CN2012/081009 | 2012-09-05 |
| 半导体器件制造方法 | ; 孟令款 | PCT/CN2012/081008 | 2012-09-05 |
| 半导体器件及其制造方法 | ; 秦长亮;殷华湘 | PCT/CN2012/079352 | 2012-07-30 |
| PVD制备TiN的方法 | ; 付作振;殷华湘;闫江 | PCT/CN2012/079176 | 2012-07-26 |
| 一种应用于CMP工艺的护圈装置 | 刘宏伟; 刘宏伟;陈岚 | 201320865754.4 | 2013-12-25 |
| 半导体器件制造方法 | 秦长亮; 秦长亮;殷华湘 | PCT/CN2012/000803 | 2012-06-12 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 尹海洲; 尹海洲;蒋葳 | PCT/CN2012/000680 | 2012-05-17 |
| 半导体器件构及其制造方法 | 尹海洲; 尹海洲;骆志炯;朱慧珑;杨达 | PCT/CN2012/000670 | 2012-05-16 |
| 使源/漏区更接近沟道区的MOS器件及其制作方法 | 秦长亮; 秦长亮;殷华湘 | PCT/CN2012/000476 | 2012-04-10 |
| 半导体器件及其制造方法 | 尹海洲; 尹海洲;蒋葳 | PCT/CN2012/000465 | 2012-04-09 |
科研产出