| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 一种半导体器件及其制造方法 | 范正萍; 王文武;赵超;韩锴;陈大鹏 | PCT/CN2011/001726 | 2011-10-17 |
| 半导体器件的接触的制造方法及具有该接触的半导体器件 | 范正萍; 钟汇才;梁擎擎 | PCT/CN2011/000693 | 2011-04-20 |
| 向沟道中引入应变的方法和使用该方法制作的器件 | 范正萍; 殷华湘;徐秋霞;陈大鹏 | PCT/CN2011/000694 | 2011-04-20 |
| 一种半导体器件及其形成方法 | 范正萍; 朱慧珑;梁擎擎 | PCT/CN2011/000336 | 2011-03-02 |
| 晶体管及其制造方法 | 尹海洲; 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | PCT/CN2011/000263 | 2011-02-21 |
| 采用后栅工艺制备CMOS器件中接触孔的方法 | 范正萍; 闫江 | PCT/CN2011/000261 | 2011-02-21 |
| 用于集成电路的衬底及其形成方法 | 范正萍; 钟汇才;梁擎擎;尹海洲;骆志炯 | PCT/CN2011/000309 | 2011-02-25 |
| 晶体管及其制造方法 | 范正萍; 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | PCT/CN2011/000292 | 2011-02-24 |
| 金属性纳米管去除方法 | 范正萍; 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 | PCT/CN2011/082533 | 2011-11-21 |
| 半导体器件及其制造方法 | 范正萍; 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | PCT/CN2011/082929 | 2011-11-25 |
| 半导体器件及其制造方法 | 范正萍; 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 | PCT/CN2011/082930 | 2011-11-25 |
| 半导体器件及其制造方法 | 范正萍; 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | PCT/CN2011/082399 | 2011-11-18 |
| 半导体场效应晶体管的制备方法 | 范正萍; 周华杰;徐秋霞 | PCT/CN2011/082421 | 2011-11-18 |
| MOSFET及其制造方法 | 范正萍; 朱慧珑;许淼;梁擎擎 | PCT/CN2011/077856 | 2011-08-01 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 范正萍; 朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲 | PCT/CN2011/077908 | 2011-08-02 |
科研产出