| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 提高后栅工程金属插塞化学机械平坦化工艺均匀性的方法 | 范正萍; 杨涛;赵超;李俊峰 | 201110005058.1 | 2011-01-11 |
| 一种形成半导体结构的方法 | 范正萍; 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 201110033687.5 | 2011-01-30 |
| 半导体器件结构及其制作方法 | 范正萍; 钟汇才;梁擎擎;尹海洲 | 201110198180.5 | 2011-07-15 |
| 半导体结构及其制作方法 | 范正萍; 骆志炯;尹海洲;朱慧珑 | 201110126832.4 | 2011-05-17 |
| PMOS器件叠层结构的制备和栅功函数调节方法 | 范正萍; 徐秋霞;李永亮 | 201110046360.1 | 2011-02-25 |
| 半导体结构及其制作方法 | 范正萍; 骆志炯;尹海洲;朱慧珑 | 201110006103.5 | 2011-01-12 |
| 器件性能预测方法及器件结构优化方法 | 范正萍; 梁擎擎;朱慧珑;钟汇才;李萌 | 201110005923.2 | 2011-01-12 |
| 一种扩散阻挡层及其制备方法 | 王文东; 王文东 夏洋 李超波 李勇滔 刘邦武 刘训春 | 201110033129.9 | 2011-01-31 |
| 一种阻挡层及其制备方法 | 王文东; 王文东 夏洋 李超波 李勇滔 刘邦武 刘训春 | 201110033156.6 | 2011-01-31 |
| 一种石墨烯薄膜的衬底转移方法 | 侯继强; 王显泰 | 201110002388.5 | 2011-01-07 |
| 一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法 | 汪宁; 汪宁 | 201110030283.0 | 2011-01-27 |
| 集成标准CMOS工艺的金属氧化物电阻存储器及其制备方法 | 吕杭炳; 吕杭炳，刘明，龙世兵，刘琦，王艳花，牛洁斌 | 201110066086.4 | 2011-03-18 |
| 阻变型随机存储单元及存储器 | 刘琦; 刘琦，刘明，龙世兵，吕杭炳 | 201110029781.3 | 2011-01-27 |
| 非挥发性存储单元及存储器 | 霍宗亮; 霍宗亮，刘明，刘璟，王艳花，龙世兵 | 201110026927.9 | 2011-01-25 |
| 阻变型随机存储单元及存储器 | 霍宗亮; 霍宗亮，刘明，张满红，王艳花，龙世兵 | 201110026944.2 | 2011-01-25 |
科研产出