| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 晶体管、晶体管制作方法及包括该晶体管的半导体器件 | 范正萍; 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑 | US13/698,276 | 2011-11-30 |
| 半导体器件及其制造方法 | 范正萍; 梁擎擎;殷华湘;钟汇才;朱慧珑 | PCT/CN2011/001999 | 2011-11-30 |
| 半导体器件的制造方法 | 范正萍; 殷华湘;徐秋霞;孟令款;陈大鹏 | PCT/CN2011/001979 | 2011-11-28 |
| 半导体器件及其制造方法 | 范正萍; 殷华湘;徐秋霞;陈大鹏 | PCT/CN2011/001966 | 2011-11-25 |
| 半导体衬底、具有该半导体衬底的集成电路及其制造方法 | 范正萍; 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 | PCT/CN2011/001993 | 2011-11-29 |
| 制作鳍式场效应晶体管的方法以及由此形成的半导体结构 | 范正萍; 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 | PCT/CN2011/002004 | 2011-11-30 |
| 鳍式场效应晶体管及其制造方法 | 范正萍; 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑 | PCT/CN2011/078207 | 2011-08-10 |
| 阱区的形成方法和半导体基底 | 范正萍; 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | PCT/CN2011/077634 | 2011-07-26 |
| 嵌入式源/漏MOS晶体管及其形成方法 | 范正萍; 钟汇才;赵超;梁擎擎 | PCT/CN2011/078320 | 2011-08-12 |
| 混合沟道半导体器件及其形成方法 | 范正萍; 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | PCT/CN2011/072585 | 2011-04-11 |
| 沟槽隔离结构及其形成方法 | 范正萍; 钟汇才;赵超;梁擎擎 | PCT/CN2011/073180 | 2011-04-22 |
| 层间电介质的近界面平坦化回刻方法 | 范正萍; 孟令款;殷华湘 | PCT/CN2011/001326 | 2011-08-10 |
| 一种晶体管及其制作方法和包括该晶体管的半导体芯片 | 范正萍; 尹海洲;罗军;朱慧珑;骆志炯 | PCT/CN2011/001309 | 2011-08-09 |
| 一种石墨烯器件及其制造方法 | 范正萍; 梁擎擎;金智;王文武;钟汇才;刘新宇;朱慧珑 | PCT/CN2011/000291 | 2011-02-24 |
| 晶体管及其制造方法 | 范正萍; 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑 | PCT/CN2011/000307 | 2011-02-25 |
科研产出