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理化所低温高精度微波谐振测频研究取得进展
2020-05-22
微波谐振测频技术是一种测量迅速且灵敏很高的探测技术,被广泛用于温度测量、压力测量、氦临界现象研究等高精度测量领域。但微波谐振频率测量易受到多物理场和外界因素影响,尤其在低温下,参考时间标准、微波发射功率和谐振腔温度稳定性等复杂因素制约了微波谐振频率测量精度的提高,进而限制了该方法在上述领域的应用...
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使用磁路使大数据处理更加节能
2020-05-21
技术的飞速发展导致大量数据能源消耗量大大增加。德克萨斯大学奥斯汀分校的科克雷尔工程学院的研究人员发现了一种使新一代智能计算机更加节能的方法。研究发现隔开间隔的磁性纳米线(充当人工神经元) ,自然可以提高人工神经元相互竞争的能力,其中活化度最高的纳米线胜出。人类大脑包含神经元的方式相同,新时代的计算...
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上海微系统所在Ⅳ族GeSn纳米线研究中取得进展
2020-05-21
近期,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室在Ⅳ族GeSn纳米线生长制备及其光电探测应用中取得进展,相关工作以Ferroelectric Enhanced Performance of a GeSn/Ge Dual-Nanowire Photodetector为题发表在Nano Letters期刊上( Nano Lett . 2020 .由于GeSn具有较窄的禁带宽度,因此基于GeSn/Ge...
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通过曲面镜工艺实现绿色垂直腔面发射激光器
2020-05-20
日本索尼公司已将其弯曲镜面垂直腔面发射激光器( VCSEL )工艺扩展到了约515-518 nm的绿色波长。在先前的工作中,索尼生产了具有曲面镜后反射器的低阈值445nm蓝色VCSEL 。索尼的研究人员指出大部分带有显示器的设备会发出很宽的波长范围的光,但只有一小部分可见,这会浪费大量输入~率。初始发射峰在515.2nm处,当电流...
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锗硅高迁移率沟道器件技术与集成工艺研发阶段性进展
2020-05-20
近日,中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心王文武/李永亮课题组在锗硅高迁移率沟道器件技术与集成工艺研究领域取得了阶段性进展。课题组提出了一种在三层应变缓冲层( SRB )上外延锗硅材料的技术,并通过锗硅鳍( Fin )刻蚀、新的浅槽隔离( STI )工艺等关键模块研发,成功实现了50%锗硅Fin的导入集成,为锗...
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NeoPhotonics推出完整的L波段相干光学解决方案,使光纤容量增加一倍
2020-05-19
领先的基于硅光子和先进混合光子集成电路的激光器、模块和子系统开发商和制造商NeoPhotonics公司,宣布推出一套L波段相干光学组件。包括64GBaud L波段高带宽相干驱动器调制器( HB-CDM ) 、 64GBaud L波段内达因相干接收器( ICR )和超窄线宽L波段可调谐激光器micro-ITLA 。再结合NeoPhotonics标准C波段相干组件,新产...
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ALLOS用于微型LED的200mm硅基GaN晶圆片具有波长均匀性和可重复性
2020-05-19
为了解决晶圆尺寸不匹配的问题,并应对微型LED产量的挑战,德国Micro LED技术厂商ALLOS应用了其独特的应变工程技术,显示了200mm硅基GaN晶圆片卓越的均匀性和可重复性,该公司还报告了300mm晶圆的成~路线图。ALLOS指出,晶圆从直径100毫米进行放大,对微型LED的业务影响比在LED行业的其他部门更大。使用较大直径除了能够...
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中国科大在新型拓扑材料外尔半导体研究中取得进展
2020-05-19
在新型量子材料中,具有特殊能带结构的拓扑材料也兼具新奇电子输运特性。近日,中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心国际功能材料量子设计中心和物理系中科院强耦合量子材料物理重点实验室教授曾长淦研究组与王征飞研究组实验与理论合作,首次在单元素半导体碲中发现了由外尔费米子主导的手性反常现象以及以...
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氮化铟镓蓝色和绿色发光二极管的微尺度
2020-05-18
美国加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校( UCSB )和韩国韩国首尔Viosys一直在探索缩小绿色和蓝色氮化铟镓( InGaN )微发光二极管( LED )直径带来的影响。由于器件表面的非辐射复合, LED的外部量子效率( EQE )随着尺寸的减小而降低。与标准的商用铝镓铟磷化物( AlGaInP )产品相比,红色InGaN LED可能具有类似的直径交...
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南京大学研究团队在硅基光量子芯片上实现三维纠缠
2020-05-18
量子纠缠是量子系统所特有的奇异性质,它于1935年由薛定谔给予定义。在量子模拟方面,通过对三维纠缠量子态的操控,团队在全球首次实现了利用量子光学器件模拟图论,特别是通过量子态的相干性的测量直接获得图的完美匹配数。在量子精密测量方面,申请人团队还利用量子光学芯片演示了高精度相位测量,突破了经典干涉仪的...
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基于六方锗和锗硅合金的直接带隙发光
2020-05-18
在过去的50年中,全世界的研究人员一直在寻找一种制造基于硅或锗的激光器的方法。埃因霍温技术大学( TU / e )和慕尼黑技术大学( TUM )与耶拿大学和林茨大学团队现已开发出一种发光硅锗合金,因此,可以有机会首次实现硅芯片激光器集成到现有芯片中的开发。最初,这些结构不能被激发发光,通过与慕尼黑工业大学的Walt...
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提高铝镓氮化物沟道晶体管的输出功率
2020-05-18
美国俄亥俄州立大学和南卡罗来纳大学报告了富铝氮化铝镓( AlGaN )沟道晶体管有史以来最高的射频( RF )输出~率密度为10GHz时为2.7W / mm 。研究人员在蓝宝石上制备外延样品,制造始于欧姆接触的形成,接下来进行等离子体蚀刻以创建台面设备隔离。在10V的漏极偏置和2V的栅极电势下,微通道器件的导通电阻为6.35 Ω - m...
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常开型氮化镓晶体管的镁热扩散
2020-05-18
关电路中实现了故障安全操作。同样,常关模式简化了栅极驱动器电路设计。如果不采取特殊措施,则当栅极电势为0V时,在AlGaN / GaN界面附近形成的二维电子气( 2 - DEG )通道会导通,从而提供常开模式。该器件基于外延材料,具有4.7 μ m的缓冲层, 300nm的未掺杂GaN沟道, 15nm的Al0.15Ga0.85N势垒和硅上的2nm GaN盖层...
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高对比度光栅III氮化物垂直腔面发射激光二极管
2020-05-18
来自台湾和瑞典的研究人员首次展示了将高折射率光栅( HCG )作为顶镜的III型氮化物( III-N )垂直腔面发射激光器( VCSEL )二极管。先制造VCSEL ,再处理与硅基板的热压倒装芯片键合,激光剥离去除了蓝宝石衬底,并且还使用化学机械抛光( CMP )去除了其他GaN材料,从而形成了厚度为5 μ m的n-GaN表面。研究人员报告...
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化学所开发出锂-硫(硒)凝胶聚合物电池的原位界面固化技术
2020-05-15
高比能锂-硫(硒)电池在下一代消费电子设备、电动汽车和大规模储能领域有着广阔的应用前景。然而,多硫(硒)化物在液体电解质中的溶解和穿梭效应,极易引起电池性能持续衰退。因此,如何通过电解液结构的优化设计,平衡其在“促进”和“阻碍”多硫(硒)化物溶解方面的作用,是锂-硫(硒)电池产业化必须攻克的技术难...
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金属所纳米碳材料高效催化过氧化氢电合成研究取得进展
2020-05-15
过氧化氢( H2O2 )是一种绿色、可再生、环境友好的氧化剂,广泛应用于环境修复、精细化工、电子工业等领域。课题组通过关联典型碳材料表面化学结构与其催化氧气电化学还原生成过氧化氢的反应活性发现,二电子氧还原反应的选择性与碳材料表面的羰基和羧基含量呈线性正相关关系,羧基的本征活性是羰基官能团的5倍以上。?...
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合肥研究院发展新型铁单原子催化剂实现高效电催化固氮合成氨
2020-05-14
近期,中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所环境与能源纳米材料中心在常温常压下电催化氮气还原研究方面取得新进展,该工作首次报道了新型氧配位铁单原子催化剂实现高效电催化氮气还原合成氨。相关研究成果以全文形式发表在国际期刊《德国应用化学》 ( Angewandte Chemie International Edition )上。迄今为止...
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大连化物所研制出基于高温下稳定工作的钙钛矿单晶X射线探测器
2020-05-13
近日,中国科学院大连化学物理研究所薄膜硅太阳电池研究组研究员刘生忠团队与陕西师范大学博士张云霞、刘渝城等合作,在高温下稳定工作的类钙钛矿单晶X射线探测器研究中取得进展。全无机Cs3Bi2I9单晶具有热稳定性好( 550 ℃不分解) 、不含高毒性铅、离子迁移率低和体电阻率高等特点,很好地解决了有机无机铅卤钙钛矿存...
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双层-双层转角石墨烯中的关联绝缘态研究获进展
2020-05-12
由于其较高的载流子迁移率和狄拉克电子能带结构,石墨烯被视为理想的二维电子气输运研究载体。2011年,德克萨斯大学奥斯汀分校的Allan H . MacDonald团队利用连续模型预测,当转角为“魔角” (约1.1 ° )时,周期性层间耦合会使得该体系中出现“平”的能带结构。2018年,麻省理工学院的Pablo Jarrilo-Herrero团队首次...
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上海硅酸盐所等在高活性析氢催化剂设计方面取得进展
2020-05-11
设计低成本、高活性析氢催化剂高效制氢是建立氢能源系统的重要组成部分,二维层状硫属化合物MoS2具有制备简单、结构稳定、催化活性可调的优势,因此被视为非常有潜力的酸性电解水制氢催化剂。近日,中国科学院上海硅酸盐研究所研究员刘建军带领的计算电化学团队和新加坡南洋理工大学教授范红金的纳米材料研究团队合作研...
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