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业内热点

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力学所在超硬高熵合金氮化物薄膜合成研究中获进展
2020-06-18

作为合金材料界的新秀,高熵合金的问世打破了传统的合金设计理念,将多种元素等摩尔比固溶在一起,理论上获得原子排列有序而元素排列无序的结构。相比较于传统合金,高熵合金的高混合熵降低了系统的吉布斯自由能,抑制了金属间化合物有序相的生成,促进简单固溶体结构甚至非晶相的形成。目前,高熵合金氮化物薄膜由于在C...


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微电子所在先进Co互连阻挡层研究领域取得进展
2020-06-17

近日,中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组在先进Co互连阻挡层研究领域取得了阶段性进展。目前, W和Cu被广泛应用于互连线中,但随着互连线的线宽不断减小,电子表面散射与晶界散射会使得互连线电阻率受尺寸效应影响迅速增大。针对先进Co互连,课题组采用Co 、 Ti靶材共溅射方法制备了非晶CoTi...


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大连化物所观测到无机/有机界面电子转移介导的三线态能量转移
2020-06-16

近日,中国科学院大连化学物理研究所光电材料动力学特区研究组研究员吴凯丰团队通过合理调控无机纳米晶表面缺陷态和无机/有机界面能级排布,结合超快时间分辨光谱技术,首次观测到无机/有机界面电子转移介导的三线态能量转移现象。近年来,大量的研究工作表明,充分耦合无机半导体纳米晶高效的光吸收与有机分子长寿命三...


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可控非马尔可夫噪声通道中的量子费舍尔信息流研究获进展
2020-06-15

任何量子系统都不可避免地与周围环境存在相互作用,因此开放量子系统的动力学性质对于量子信息科学的各个方向都至关重要。根据量子系统所处环境是否具有记忆效应,其动力学演化过程可分为马尔可夫过程和非马尔可夫过程。真实的物理环境常带有一定的非马尔可夫性,那如何控制和定量表征开放量子系统动力学过程的非马尔可...


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福建物构所在二维金属烯电催化剂还原CO2研究中获进展
2020-06-15

近年来,二维( 2D )材料因其独特的物化性质大量应用在电催化领域。金属铋( Bi )纳米材料可通过电催化过程将CO2以较高活性转化为甲酸,从而引起了人们的关注。因此,具有超薄二维结构的铋烯材料( Bi-ene , bismuthene )将是一类非常有潜力的高效CO2还原反应( CO2RR )电催化剂,但目前研究面临的难点之一在于如何...


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中国科大实现千赫兹级谱线分辨率的单自旋顺磁共振
2020-06-12

中国科学院院士、中国科学技术大学教授杜江峰领导的中科院微观磁共振重点实验室提出并实验实现了一种基于金刚石氮-空位( NV )色心量子传感器的高分辨顺磁共振探测方法,获得了千赫兹( kHz )谱线分辨率的单自旋顺磁共振谱。该研究成果以Kilohertz electron paramagnetic resonance spectroscopy of single nitrogen c...


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铋烯同质结中莫尔超周期对拓扑边缘态的调制研究获进展
2020-06-12

由于维度的降低,相比于三维原子晶体,以石墨烯为代表的二维原子晶体由于独特的蜂窝状原子排布,展现了全新的量子特性,受到了人们极大的关注。近年来,人们更进一步在多层转角石墨烯中发现了层间相互作用可以调控石墨烯的能带结构,使整个体系获得更优越的量子特性。中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心表...


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宁波材料所在二氧化碳电还原领域取得进展
2020-06-11

二氧化碳( CO2 )电还原技术可以在温和条件下,使用清洁电能将CO2转化为碳氢燃料,在解决由于间歇性问题造成的新能源弃电浪费的同时,还可以缓解温室气体CO2造成的环境问题并获得高附加值的碳氢化合物。CO2电还原技术的核心是在阴极进行的CO2还原反应( CO2RR ) ,即以水和CO2为原料,在还原电位下转化并获得一氧化碳、...


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合肥研究院在基于有机溶剂合成石墨烯量子点领域获进展
2020-06-10

近日,中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心研究员王辉与林文楚合作,在基于有机溶剂合成石墨烯量子点( GQDs )领域取得新进展:研究发展具有特定结构的有机溶剂(双键、苯环或多极性基团)可直接碳化并形成GQDs 。相关结果以Direct carbonization of organic solvent toward graphene quantum dots为题发表于国...


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使用常关晶体管的硅上氮化镓互补逻辑结构
2020-06-09

美国和中国的研究人员已经在硅衬底上的互补逆变器电路中集成了氮化镓n和p沟道场效应晶体管(FET)。该制造避免了可能增加生产成本的复杂的再生步骤,该电路使用增强模式(常关)器件,从而降低了功耗。研究人员认为,单片集成是通过减小驱动器电路和栅极之间的寄生电感来提高功率器件开关速度的关键方法。任何互补逻辑技...


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理化所等应邀撰文评述液态金属复合材料新方向
2020-06-09

近日,应Cell姊妹期刊Matter之邀,中国科学院理化技术研究所与清华大学联合小组发表了一篇题为Liquid Metal Composites的长篇评述文章( Chen et al . , Matter , 2。: 1446 - 1480 , ,首次对近年来新出现的液态金属复合材料的兴起缘由、发展历程、典型应用、最新进展以及面临的挑战和机遇进行了系统总结和展望。如不完...


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大连化物所等研制出应用于X射线成像的零维非铅钙钛矿单晶
2020-06-09

近日,中国科学院大连化学物理研究所薄膜硅太阳电池研究组研究员刘生忠团队与陕西师范大学博士刘渝城、徐卓、杨周等合作,基于近年在高质量大尺寸钙钛矿单晶生长的技术积累和完备的科研平台,成功设计、集成了大尺寸零微结构非铅(类)钙钛矿单晶高性能X射线成像器件。与钙钛矿微晶薄膜相比,低缺陷态、高迁移率和更稳定...


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我国开发出超稳定三维铂铜纳米线催化材料
2020-06-08

记者7日从内蒙古大学获悉,该校王勤教授团队联合吉林大学移动材料教育部重点实验室等多个国家重点实验室开发出一种超稳定的三维铂铜纳米线催化材料,该材料具有超细尺寸、自支撑的刚性结构并且表面富含大量铜空位缺陷。研究成果论文《通过调控金属缺陷和晶格应力提升贵金属合金电催化性能的研究》已于近日在国际化学领域...


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台积电3nm继续使用FinFET技术
2020-06-05

台积电终于在今年第一季的法人说明会里,透露了其3纳米将采取的技术架构,而出乎大家意料的,他们将继续采取目前的「 FinFET 」晶体管技术。而这代表了台积电的制程微缩能力远超乎市场想像, 3纳米仍不是其极限所在。因此若能维持当前的设计体系,对台积电和客户来说,都会是个双赢局面。特别是先进半导体制造的成本十分...


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Nitride Semiconductors推出用于半导体制造曝光系统的365nm UV-LED芯片
2020-06-04

日本的Nitride Semiconductors声称已经开发出首个用于半导体和PCB制程曝光系统紫外光源的UV-LED 。Nitride Semiconductors于2000年从德岛大学分离出来,宣布称已开发出第一个高效的紫外线发光二极管。这表明UV LED有可能直接替换传统曝光系统所用的UV光源,无需购买新的UV LED曝光系统。原文题目: Nitride Semiconducto...


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中国科大实现通讯波段碳化硅色心的室温自旋操控
2020-06-04

中国科学院院士、中国科学技术大学教授郭光灿团队在碳化硅色心自旋操控研究中取得新进展。该团队李传锋、许金时、王俊峰等人与其合作者在国际上首次实现了碳化硅中氮-空位( NV )色心的室温相干操纵,并且实现了单个NV色心的可控制备和光探测磁共振谱的探测。这种色心的发光波长在通讯波段,在量子通信和量子网络中具有...


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大连化物所发现单原子催化剂中经典金属-载体强相互作用
2020-06-04

近日,中国科学院大连化学物理研究所催化与新材料研究室研究员乔波涛和中科院院士张涛团队在单原子金属-载体强相互作用研究方面取得新进展,首次发现Pt单原子能够与TiO2载体间发生经典金属-载体强相互作用( Strong Metal-Support Interaction , SMSI ) 。前期研究中,乔波涛和张涛团队与王军虎团队发现了金和铂族金属...


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金属所在铁电材料中发现周期性半子晶格
2020-06-03

中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心马秀良团队在氧化物铁电材料中发现半子( Meron ,也有音译为麦纫)拓扑畴以及周期性半子晶格。他们在外延生长在SmScO3衬底上的超薄PbTiO3薄膜( 5nm )中不仅发现面内汇聚型和面内发散型半子,而且发现反半子结构,以及半子与反半子组合后发生湮灭所形成的拓扑荷为零的畴结...


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物理所合成高容量钠离子电池层状氧化物模型材料
2020-06-03

由于钠资源储量丰富且成本低廉,室温钠离子电池在未来大规模储能应用上表现出巨大的潜力,近两年已经在低速电动车和储能电站上成功实现了应用示范。目前锂离子电池NCM (镍钴锰)材料体系中的Ni含量已经可以提高到80%以上,无钴高镍正极也是目前锂离子电池的重要攻坚方向,但是进一步降低Co元素的含量遇到了很大的技术瓶...


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微电子所先导中心准原子层刻蚀技术最新进展
2020-06-02

近日,中科院微电子所先导中心在美国电化学会《固态科学与技术杂志》发表了文章: Study of Isotropic and Si-Selective Quasi Atomic Layer Etching of Si1 - xGex ( DOI : 10.1149/2162 - 8777 / AB80AE ) 。文章系统介绍了一种全新的集成电路刻蚀技术:各向同性和硅选择性的锗硅准原子层刻蚀技术( quasi - Atomic...