| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 石墨烯器件及其制造方法 | 梁擎擎;金智;钟汇才;朱慧珑;刘新宇; | 201110360220.1 | 2011-11-14 |
| 鳍式场效应晶体管的制造方法 | 梁擎擎;朱慧珑;钟汇才; | 201110144894.8 | 2011-05-31 |
| 鳍式场效应晶体管及其制造方法 | 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑; | 201110116545.5 | 2011-05-06 |
| 穿硅通孔结构及其形成方法 | 赵超;陈大鹏;欧文; | 201110036024.9 | 2011-02-11 |
| 一种嵌入区的形成方法以及嵌入源漏的形成方法 | 王鹤飞;骆志炯;刘佳; | 201110129620.1 | 2011-05-18 |
| 互连结构及其形成方法 | 钟汇才;梁擎擎;朱慧珑;赵超; | 201110092126.2 | 2011-04-13 |
| 半导体器件及其形成方法、封装结构 | 钟汇才;梁擎擎;闫江;赵超; | 201110112565.5 | 2011-04-30 |
| 半导体器件及其制造方法 | 殷华湘;徐秋霞;陈大鹏; | 201110090704.9 | 2011-04-12 |
| 一种研磨垫清洗方法和装置 | 杨涛;赵超;李俊峰; | 201110066718.7 | 2011-03-18 |
| 金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法 | 赵超;罗军;钟汇才;王文武; | 201110161231.7 | 2011-06-15 |
| 多栅器件的形成方法 | 殷华湘;徐秋霞;陈大鹏; | 201110182423.6 | 2011-06-30 |
| 晶体管及晶体管的形成方法 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲; | 201110185303.1 | 2011-07-04 |
| 光电探测叠层、半导体此外探测器及其制造方法 | 殷华湘;陈大鹏; | 201110164384.7 | 2011-06-17 |
| 一种双面微透镜阵列及其制造方法 | 闫建华,欧文,欧毅; | 201110126266.7 | 2011-05-16 |
| 半导体结构和形成该半导体结构的方法 | 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑; | 201110314174.1 | 2011-10-17 |
科研产出