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我国科学家利用新型谱方法表征长程耦合半导体量子比特
2020-09-03
随着半导体量子计算的不断发展，半导体量子比特性能大幅提升，如何实现多量子比特扩展已成为该领域的一个重要研究热点。利用微波谐振腔中的光子作为媒介实现比特间相互作用被认为是最具潜力的扩展方式之一，而这一方案的首要条件是实现量子比特与微波谐振腔的强耦合（量子比特与微波谐振腔的耦合速率大于比特、光子的耗...
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闪存光刻技术的新思路
2020-09-02
当NAND闪存的半间距（ half-pitch ）达到20nm时，非易失性存储容量达到64Gb 。用于图案化构成这些存储器的20nm半节距线的光刻技术是另一个机会，可以查看行业中当前已知的光刻方法的基本方面和局限性。图案化20nm半间距线的方法是自对准双图案（ SADP ） 。假设通过SADP对40nm的间距线进行了图案化，则堆叠的图案化具有...
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科学家模拟出13种用于替代硅FinFET的材料
2020-08-27
瑞士科学家对像石墨烯这样的二维材料进行了计算研究，以确定哪种材料能制造出最好的晶体管。来自苏黎世ETH和EPFL的研究小组在Piz-Daint超级计算机上结合了密度泛函理论和量子输运理论，对栅极长度从5nm到15nm的器件进行了电流-电压特性建模。据Piz-Daint所在的瑞士国家计算机中心称： “他们将这些计算与所谓的量子传输...
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《自然》刊发微型机器人新突破：细如发丝，兼容硅电子器件
2020-08-27
将电子器件微型化以生产细胞大小的机器人一直是人们追求的目标，但由于缺乏合适的微米级致动器系统，该技术一直受到限制。除了设计微型制动器外，米斯金和同事还开发了一个微型机器人原型，其中用到4个致动器作为机器人的腿。操作者可以将激光照射到机器人的不同部位，来实现弯曲前腿或后腿的效果，从而推动机器人前进。...
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避免高压氮化镓功率器件的迁移率崩溃
2020-08-24
日本SCIOCS Co Ltd宣称其n型氮化镓（ n-GaN ）在室温下具有最高的迁移率，载流子密度为1015 / cm3 。这种低掺杂层是额定电压高达10kV的垂直功率器件的关键组件，需要厚漂移层以减少电场，同时保持导电率，与迁移率和自由载流子密度成比例。温度为1050 ° C ，基板为2英寸， + c取向， Si掺杂的n型自立式GaN ，采用SiCOSC...
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具有导电底镜和触点的氮化镓VCSEL
2020-08-19
美国和韩国的研究人员主张使用具有纳米多孔（ NP ）氮化镓（ GaN ）的导电分布式布拉格反射器（ DBR ）来制造第一款电注入III氮化物垂直腔面发射激光器（ VCSEL ） 。这将有助于克服目前用III族氮化物材料生产蓝色和紫外VCSEL的局限性，使其性能与红外和更长可见光波长下的性能相似。并且目前的研究表明，导电纳米多孔Ga...
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测试或与封装“分体”
2020-08-18
在集成电路行业中，封装测试好像一直是理所应当地被“合体” ，也造就了一批传统的封测一体龙头企业。而相较于封装业的巨额产值，测试业被无形地“忽略”了。但最近一系列事件的发生，特别是国务院出台的《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策(国发〔 2020 〕 8号) 》 （以下简称新政） ，第一次鲜明...
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中国芯片设计云技术白皮书2.0发布
2020-08-17
摩尔精英IT/CAD事业部曾于2019年11月21日的南京ICCAD大会上发表的《芯片设计云计算白皮书1.0 》中，初步探索了基于公有云的EDA计算平台的实现方案。随着进一步的探索和方案优化， 2020年8月摩尔精英发布《芯片设计云技术白皮书2.0 》 ，进一步升级迭代EDA云计算的实现方案。在这一稿白皮书中，将基于Azure云平台，呈现包...
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走出独特“从工程到技术再科学”模式
2020-08-13
对于源头创新赛道上的竞争，深圳“补短板”应与“辟新域”同步进行。在IT上我们要加强“补短板”，如集成电路设计、制造及上游材料；核心系统软件包括操作系统、EDA软件等。BT方面则侧重“辟新域”，在高端医疗器械、大分子药、基因工程和脑科学等方面加大创新力度。深圳必须向国际尖端创新发力，未来在核心技术和核心价...
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首块基于蚕丝蛋白的硬盘存储器问世
2020-08-12
在许多人看来，蚕丝是纺织衣物的材料，但是，在科学家的手中，这种传统的材料可以作为存储信息的高科技新材料，植入生命体内。中科院上海微系统所陶虎课题组联合美国纽约州立大学石溪分校和德州大学奥斯汀分校相关课题组，首次实现了基于蚕丝蛋白的高容量生物存储技术，这也是国际首块基于天然生物蛋白的硬盘存储器。相...
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新型能谷电子器件研制成功 或可应用于未来集成电路
2020-08-11
随着摩尔定律接近极限，传统的晶体管器件已进入发展瓶颈。如何利用新原理、新结构和新材料来解决和优化传统半导体器件中的尺寸微缩和能耗等问题，是后摩尔时代半导体技术的发展重点。南京大学电子工程学院的王肖沐、施毅课题组同浙江大学的徐杨课题组以及北京计算科学研究中心合作，研制了一种在常温下实现能谷自旋流产...
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半极性蓝宝石GaN激光器的连续波操作
2020-08-10
美国圣塔芭芭拉大学（ UCSB ）宣称在4英寸蓝宝石衬底上生长出第一个室温下连续波（ CW ）电驱动半极性氮化镓（ GaN ）蓝色激光二极管（ LDs ） 。研究人员表示该工作为大幅降低半极性激光二极管成本，并加快未来半极性GaN激光二极管及其应用开发方面做出了重大突破。先蓝宝石衬底上生长半极性GaN层。激光二极管结构采用...
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兰州化物所石墨烯复合材料及器件研究取得进展
2020-08-07
石墨烯作为一种新型碳纳米材料，具有高机械强度、良好导电导热性、大比表面积、良好化学稳定性等优点，在能量储存、电子器件、传感材料、催化剂、防腐涂料等领域展现出极为广阔的潜在应用前景。目前，石墨烯的应用主要采用复合材料的途径进行性能的提升，其制备方法主要包括化学还原法、水热法、溶胶凝胶法和电化学法。...
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国家纳米中心在锂离子电池硅负极研究中取得进展
2020-08-05
随着移动电子产品、大规模储能和电动汽车的快速发展，开发高能量密度、高功率密度、长循环寿命、高安全性的锂离子及后锂离子电池成为储能领域的研究热点和焦点。发展高容量、高倍率、高稳定性的电极材料是实现这一目标的重要途径。近年来，国家纳米科学中心李祥龙、智林杰团队从低成本的二氧化硅纳米颗粒出发，改进镁热...
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以低缺陷密度的AlN /蓝宝石模板有效释放AlN厚膜中的拉伸应力
2020-08-04
中国研究人员展示了如何通过高温金属有机化学气相沉积（ MOCVD ）有效释放氮化铝（ AlN ）厚膜中的拉应力，从而允许低缺陷密度AlN /蓝宝石模板的生长。研究人员提出生长厚的AlN膜以减少AlN /蓝宝石模板中的TDD ，这可使位错爬长距离以互相破坏。随后，通过使用Aixtron紧密耦合喷嘴（ CCS ）高温（ HT ）金属有机化学气相...
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氮极Ⅲ族氮化物隧道结发光二极管的首次展示
2020-08-03
中国和沙特阿拉伯的研究人员首次展示了氮极隧道结（TJ）氮化铟镓（InGaN）发光二极管（LED），研究人员称，以前已经报道了具有良好性能的N极隧道结，但是目前仅获得了III极III型氮化物TJ-LED。 研究团队使用极化掺杂的氮化铝镓（AlGaN）来提高TJ的性能，产生更高的空穴浓度，并增加了从电极散布的横向电流。这项工作中的...
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NYU最新研发技术推动2D半导体材料行业应用
2020-08-01
近来，二维（ 2D ）半导体作为一种新型材料正在引起人们的关注，其大小与一个原子的厚度相当。理论上来说， 2D材料在电子和光电子工业以及物联网设备中有着光明的应用前景。任何手机、电脑、电子设备，甚至太阳能电池，都是由相同的基本电子元件，即二极管组成的。二极管的核心基础p － n结的纳米制备一直是个未解决的挑...
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国务院印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》
2020-08-07
新华社北京报道，日前国务院印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》（以下简称《若干政策》）。《若干政策》强调，集成电路产业和软件产业是信息产业的核心，是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量。国务院印发《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》《进一步鼓励软件产业和集成电路...
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E型GaN晶体管的转移印刷和自对准蚀刻
2020-07-27
首个晶圆级单片实现的常关、增强型（E型）共源共栅场效应晶体管（FET）在中国西安电子科技大学研制成功，该场效应晶体管由硅（Si）和氮化镓（GaN）组件组成，这些组件通过低成本转移印刷和自对准蚀刻工艺组装而成。研究人员希望他们的技术能实现大规模的集成，将硅、氮化镓和其他材料结合在一起的器件和电路的功能多样化...
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中国本科生首次带着自己设计的处理器芯片毕业
2020-07-27
中国本科生首次带着自己设计的处理器芯片毕业— —中国科学院大学25日公布首期“一生一芯”计划成果：在国内首次以流片为目标，由五位本科生主导完成一款64位RISC-V处理器SoC芯片设计并实现流片。芯片能成功运行Linux操作系统以及学生自己编写的中国科学院大学教学操作系统UCAS-Core 。该校还将充分发挥科教融合优势，培...
综合新闻