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新方法优化硅基自旋量子比特操控
2021-05-10
中国科学技术大学郭光灿院士团队郭国平、李海欧研究组与本源量子计算公司等合作，对集成微磁体的硅基量子点进行研究，发现了自旋量子比特操控的各向异性：通过改变外加磁场与硅片晶向的相对方向，可以将自旋量子比特的操控速率、退相干速率、可寻址性进行同时优化。然而，嵌入微磁体的硅基量子点会大幅增加电荷噪声对量...
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微电子所在氧化物栅控离子晶体管方面取得新进展
2021-04-28
随着人工智能、物联网等新兴信息技术的发展，信息处理已由计算密集型向数据密集型转移，亟需具有非结构化数据处理能力的低延时、低能耗边缘计算系统，满足终端设备对未来海量非结构化数据处理能力的需求。受生物启发的脉冲神经网络（ SNN ）因其使用稀疏、异步的脉冲序列作为输入/输出，并以存内计算的方式处理信息而具...
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“留光”1小时！我国科学家刷新世界纪录迈向“量子U盘”
2021-04-26
中国科学技术大学25日发布消息，该校李传锋、周宗权研究组近期成功将光存储时间提升至1小时，大幅刷新8年前德国团队创造的1分钟的世界纪录，向实现量子U盘迈出重要一步。光的存储在量子通信领域尤其重要，因为用光量子存储可以构建量子中继，从而克服传输损耗建立远程通信网。另一种远程量子通信解决方案是量子U盘，即把...
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硅片逻辑里的叠层III-V射频布线
2021-04-20
韩国的研究人员声称，针对栅长超过100nm的RF晶体管，采用硅电路的三维单片集成（M3D），可以实现最高截止频率和最大振荡频率。研究人员认为，III-V材料与硅电路的结合将促进毫米波范围内的混合信号射频模拟和数字逻辑功能的发展。III-V材料可通过分子束外延（MBE）在磷化铟（InP）衬底上生长。沟道区是砷化铟镓（InGaAs...
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用新方法观察高铟浓度InGaN LED中的成分波动
2021-04-20
来自新加坡麻省理工学院科技联合项目（SMART）的低能耗电子系统（LEES）跨学科研究小组（IRG）与麻省理工学院（MIT）和新加坡国立大学（NUS）共同找到了一种方法，以量化不同铟浓度下氮化铟镓（InGaN）量子阱（QWs）中成分波动的分布。InGaN发光二极管因其高效率、耐用性和低成本彻底改变了固态照明。可以通过改变InGaN...
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新型“双高”混合型电化学储能器件问世
2021-04-15
锂离子电池和超级电容器是常用的电化学储能器件。传统锂离子电池受限于迟缓的体相反应，功率性能较差；超级电容器利用快速表面过程存储电荷，能量密度较低，这两个“种子选手”并不适用于对能量和功率密度都有较高要求的应用场景。近日，中国科学院大连化学物理研究所研究员吴忠帅团队在混合型电化学储能器件研制方面取...
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紫外光照射对氮化铝导电性的影响
2021-04-12
氮化铝具有6.1eV的超宽带隙，这对于制造大功率和高压电子产品而言具有诱人的吸引力，同时在约200nm波长范围内兼有深紫外光电子学的潜力。宽带隙材料在实现高电导率方面具有挑战性。改善AlN中的电导率涉及降低螺纹位错和铝空位硅（VAl-nSi）络合物的密度。这些缺陷通过俘获浅至约70meV供体态的电子，降低了硅作为掺杂剂的...
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一种新的超宽禁带半导体制造工艺
2021-04-09
超宽禁带半导体是指禁带宽度大于3.4eV的半导体材料，它的击穿电场、热导率、电子迁移率等性能，以及耐高压、耐高温、高频、抗辐射的能力均优于现有大规模应用的宽禁带半导体材料，在超高压电力电子器件、射频电子发射器、深紫外光电探测器和量子通信等领域具有广阔的应用前景。阿卜杜拉国王科技大学研究人员在蓝宝石衬底...
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叶甜春总师获颁第四届“IC创新奖”之“产业创新突出贡献奖获”
2021-04-01
2021年3月20日，在由国内顶级创新组织平台- -中国集成电路创新联盟（大联盟）组织召开的“ 2021集成电路产业链协同创新发展交流会”上，国家02科技重大专项技术总师、原中科院微电子所所长叶甜春获颁第四届“ IC创新奖”之“产业创新突出贡献奖” 。该奖项重点表彰在集成电路技术创新、成果产业化、产业链合作及创新发展...
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微电子所召开国家重点实验室重组工作动员部署会
2021-03-26
3月25日，微电子所组织召开国家重点实验室重组工作动员会。微电子所领导班子、党委委员、相关科研业务部门及机关职能部门负责人等共三十余人参加了会议。会议由党委书记、副所长（主持工作）戴博伟主持。他结合研究所前期国重实验室申报准备工作，对下一步工作进行部署，研究所将根据院国重体系重组的工作要求，全力以赴...
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杨卫：评判学术不端，责任和能力要分清
2021-03-30
近年来，在科研领域，撤稿、数据图片误用、诚信失范事件时有发生，甚至涉及到著名高校和教授。这不禁让人疑惑，我国的科研诚信问题越来越严重了吗？此外，出现学术不端，除作者外，是否也是期刊编辑和审稿人的失职？如何保证科研诚信、营造良好学术环境？带着这些问题，《中国科学报》专访了中国科学院院士、国家自然科...
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单分子晶体管器件研究获进展
2021-03-25
当器件的小型化趋势使得晶体管的尺寸进入到深纳米尺度的领域（< 10nm ） ，量子效应作用渐显。对极小晶体管器件探索的一种方法是把世界上最小的功能单元-单个小分子嵌入到电路中构成单个分子的场效应管进行研究，这样的器件只有当分子能级与电路中电子能量相同时才会体现出信号的急剧变化，分子的能级可以通过电场效应进...
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谢希德诞辰100周年：她是中国半导体之母，也是新中国首位大学女校长
2021-03-19
有人说：“芯片的战争就是未来的战争。”芯片关系到国家的竞争力和信息安全。芯片的背后是科技之争，说得再精确一些，是半导体技术之争。事实上，中国的半导体技术研究，起步时并没有大幅落后于世界进程。早在1956年，新中国百废待举的年代，她以瘦弱而坚强的身躯，为我国的半导体物理、表面物理的理论研究撑起一片天。...
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居龙：与真“芯”英雄们，一起实现“中国芯梦”
2021-03-18
2020年经历百年难遇的新冠疫情，乱世出英雄，英雄也将创下新的时代。在今天召开的SEMICON China 2021大会上， SEMI全球副总裁、中国区总裁居龙在开场致辞中讲到。借用习近平的话“越是面临封锁打压，越不能搞自我封闭，自我隔绝，二是要实施更加开放包容、互惠互享的国际科技合作战略。让我们的芯，如星辰大海，把全世界...
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吴汉明：关于我国芯片制造的一些思考
2021-03-17
今日， SEMICON China在上海隆重举行，在同期高峰论坛上，中国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长吴汉明发表了题为《关于我国芯片制造的一些思考》的演讲。他首先指出，集成电路产业正在面临两大壁垒，分别是政策壁垒和产业性壁垒，其中政治壁垒包括大家都知道的巴统和瓦森纳协议，而产业性壁垒则体现在世界的半导体...
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微电子所在纳米森林的微器件应用研究方面取得新进展
2021-03-16
近日，微电子所集成电路先导工艺研发中心在纳米森林的微机电系统（ MEMS ）传感器应用研究上取得重要进展。湿度的监测与控制在气象、农业、汽车、医药等行业具有重要意义。随着MEMS技术的发展，基于MEMS工艺的电容式湿度传感器因其在宽相对湿度范围内具有较好的灵敏度和较好的抗干扰能力而受到广泛关注。传统的电容式湿...
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硅基单片集成UV LED/光电探测器
2021-03-15
光电探测器以类似于光电晶体管的方式工作，在一对欧姆接触之间使用6 μ mx100 μ m的p-GaN光学栅极。30 μ mx100 μ mLED通过p-GaN阳极提供的空穴的复合产生光子，并从在AlGaN / GaN界面附近形成的二维电子气（ 2DEG ）产生电子。在HEMT和HKUST光电探测器结构中， 2DEG构成了可以通过外部手段控制其电阻的通道。制造顺序...
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柔性磷化铟DHBT频率提升
2021-03-03
东南大学和中国南京电子设备研究所要声称首次演示了将晶圆级制造的高频磷化铟（ InP ）双异质结构双极晶体管（ DHBT ）转移到柔性基板上。该团队报告，获得了截止频率fT = 337GHz和最大振荡频率fMAX = 485GHz ，这是迄今为止柔性电子领域报道的最高结果。研究人员将他们在晶圆规模上的成果与以前的报告进行了对比，以前...
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硅基混合式IIII–V TFET和MOSFET
2021-02-24
瑞士的IBM Research Europe和洛桑联邦理工学院（ EPFL ）共同开发了一种工艺，用于硅衬底上的混合III-V隧道场效应晶体管（ TFET ）和金属氧化物半导体场效应晶体管（ MOSFET ）制造。与MOSFET的62mV/decade相比，使用带间隧穿而不是热电子发射使TFET能够实现低得多的亚阈值摆幅（ SS ） ，低至42mV/decade 。该团队使用...
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国家IC基地成立20周年！回顾发展历程及工作成绩
2021-02-22
今年是国家IC基地成立二十周年，基地建设和服务为促进我国芯片设计业发展做出了卓越的贡献。由于美国对我国芯片产业的围堵从芯片禁运转向更深层次，使人们关注焦点由芯片设计转向了7nm工艺、 EUV光刻机、 EDA软件和原材料等基础支撑，大多数人已对国家IC基地20年来发挥的作用有所淡忘。国家集成电路设计西安产业化基地(...
综合新闻