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科技日报-潘教峰：管理学必须适应知识经济时代的发展
2019-03-27
科技创新管理是现代管理的重要组成部分。管理学的产生和发展是工业经济时代的产物，反映了大生产、标准化、工程化、集中式生产活动的规律和要求。目前，在科研管理中，广为诟病的直接套用一般工程类项目管理方式的一些做法，如重物轻人、见物不见人等，实际上是工业经济时代管理理念作用的结果。我们应深入研究创新组织...
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揭秘AI芯片新生态
2019-03-22
“早些年，大家聚在一起说人工智能芯片，谈的都是规划和理想，因为没有具体的产品。”一位不愿具名的AI芯片业内人士对国际电子商情记者如此说道。百度主任架构师欧阳剑介绍了百度近年来在AI芯片上的工作，重点讲述了百度“昆仑”芯片。据了解， Wave的DPU芯片，可将软件接入到芯片，能存取外部内存上的数据信息。边缘设...
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新华网-中科院自动化所AiRiA研究院发布“普惠AI，芯向边缘”AI产品战略
2019-03-22
,该所南京人工智能芯片创新研究院（简称AiRiA研究院） 21日在北京举办战略发布会，发布基于量化神经处理器QNPU的“普惠AI ，芯向边缘” AI产品及战略。中国科学院自动化研究所南京人工智能芯片创新研究院（ AiRiA ）于2017年9月由中科院自动化研究所和南京市联合成立，依托自动化研究所和南京市麒麟科技创新园，由自动化...
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中国科学报-知识产权打造微电子创新引领者
2019-03-21
孵化多家创新企业、共建国家级封装技术研发平台、打造专门的知识产权运营团队… …中国科学院微电子研究所（以下简称微电子所）高度重视知识产权保护，更是对专利做了长远布局。据了解，微电子所的知识产权管理以科技处为核心，管理全所各项知识产权工作，全所15个研发中心内分设知识产权辅助人员，以协调各研发中心知识...
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中国科学报-包信和：让科技伦理贯穿科技发展全过程
2019-03-15
履职7年，全国人大代表、中科院院士、中国科学技术大学校长包信和已提交了3份关于科技伦理的议案。通过相关部门的回复，他明显感觉到国家正逐步重视科技伦理建设。“有关部门开始真正重视科技伦理问题了，他们多次联系我并讨论相关内容。”面对《中国科学报》抛出的科研伦理问题，包信和形象地举了个例子，以说明科技伦...
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光明日报-产学研结合促进科技成果转化
2019-03-14
“我们不光要有知识创新，也要鼓励产学研结合，让科研成果得到更好的应用。”安徽大学校长、中科院合肥物质科学研究院院长匡光力委员认为，地方高校和科研机构要提高科研转让和转化成绩，必须依靠地方政府的大力支持。中科院合肥物质科学研究院坐落在三面环水的董铺岛，他们与合肥市政府在合肥高新区共同成立了中科院合...
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两会专访丨全国政协委员、中科院微电子所副所长周玉梅：培养集成电路人才急需设立一级学科
2019-03-04
3月3日下午，全国政协十三届二次会议在北京开幕。全国政协委员、中科院微电子所副所长周玉梅接受了《中国电子报》记者采访。她建议，设立集成电路一级学科，更好地配置教育资源，使集成电路人才培养与国家战略需求和产业发展相匹配。针对这一现象，周玉梅表示，这与我国集成电路产业发展的特殊性密切相关。因此在设立一...
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微电子所在阻变存储器与铁电FinFET方向取得突破性进展
2018-12-10
近日， 2018国际电子器件大会（ IEDM ）在美国旧金山召开。会上，微电子所刘明院士科研团队展示了28纳米嵌入式阻变存储器可靠性优化以及基于HfZrO铁电FinFET器件的最新研究成果。针对先进工艺节点的嵌入式存储器缺失问题，刘明院士团队与殷华湘研究员合作提出了基于HZO铁电FinFET的混合存储器件。基于HfZrO2铁电材料的Fi...
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市政协“科技讲堂”聚焦集成电路产业发展
2018-11-14
11月13日上午，市政协第八次“科技讲堂”在中科院微电子所举行，围绕中国集成电路产业创新发展进行专题学习。市政协主席吉林参加。活动中，中科院微电子所所长叶甜春以中国集成电路制造技术与产业创新发展情况为题作报告，详细介绍我国集成电路产业发展历程、世界前沿趋势和未来发展战略。集成电路产业发展需要久久为功...
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中国科学院集成电路创新研究院（筹）2018年“集成电路先导技术—器件工艺”研讨会成功举办
2018-10-09
2018年9月28日，由中国科学院集成电路创新研究院（筹）工艺总体部策划并组织的“集成电路先导技术— —器件工艺”研讨会，在中科院微电子所成功举办。本次会议以探索下一代集成电路先导技术为目标，邀请到国内不同领域内的多位知名学者与工程技术专家参加，针对“延续摩尔定律的纳米CMOS新器件与新技术”和“后摩尔时代...
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微电子所在8英寸平台上成功制造绝缘体上张应变锗（TSGOI）晶圆
2018-08-30
近日，中国科学院微电子研究所研究员Henry Radamson和副研究员王桂磊在先导中心8寸平台上成功制造绝缘体上张应变锗（TSGOI）晶圆。该项技术突破，实现了工艺过程中对Ge的诱导应变微调，使Ge的带隙改变为0.7eV。以此类Ge衬底制备的PMOS器件实现了506cm2V-1s-1的高空穴迁移率。这一成果为微电子学和光子学的单片集成提供了...
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微电子所建成国际一流的硅光子平台
2017-12-28
近期，微电子所硅光子平台器件完成了平台工艺设计工具包（ PDK ）与国际主流光子集成设计软件PhoeniX Software和Luceda Photonics IPKISS的集成，标志着微电子所建成国际一流的硅光子平台。为了进一步提高平台能力和规范服务流程，平台近期与国际知名光子集成设计软件商PhoeniX Software合作，将PDK内容与其设计软件进行...
综合新闻