| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 纳米压印和光学光刻匹配混合的声表面波器件制备方法 | 王丛舜 牛洁斌 涂德钰 谢常青 陈宝钦 刘 明 ; | 200510126232.2 | 2005-11-30 |
| 一种硅基有机发光微显示金属阳极及阴极隔离柱的制备方法 | 欧 毅 李大勇 ; | 200510123888.9 | 2005-11-24 |
| 一种微电力机械系统振动射流执行器的制备方法 | 欧 毅 白宏磊 石莎莉 申功炘 陈大鹏 ; | 200510086971.3 | 2005-11-24 |
| 可编程通用多核处理器芯片上处理器之间程序流同步方法 | 周朝显 陈 杰 ; | 200510086643.3 | 2005-10-20 |
| 基于自组装技术的交叉阵列结构有机器件制备方法 | 王丛舜 胡文平 涂德钰 姬濯宇 刘 明 ; | 200510109338.1 | 2005-10-13 |
| 一种比较器和数字逻辑作反馈环的闭环可控增益放大器 | 高大明;叶 青;叶甜春;黄惊涛;范 军; | 200520129718.7 | 2005-10-13 |
| 一种超薄氮化硅/二氧化硅叠层栅介质的制备方法 | 林 刚 徐秋霞 ; | 200510086488.5 | 2005-09-22 |
| 异步快速傅立叶变换处理器电路 | 赵 冰 仇玉林 吕铁良 黑 勇 ; | 200510103016.6 | 2005-09-15 |
| 异步蝶型运算单元电路 | 赵 冰 仇玉林 吕铁良 黑 勇 ; | 200510103017.0 | 2005-09-15 |
| 基于关键字的变长解码器及方法 | 刘 洋 周 莉 陈 杰 ; | 200510086316.8 | 2005-08-31 |
| 砷化镓基增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管栅制作工艺 | 李海鸥 张海英 尹军舰 叶甜春 和致经 ; | 200510093369.2 | 2005-08-26 |
| 用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能的制作方法 | 石莎莉 陈大鹏 李超波 焦斌斌 欧 毅 叶甜春 ; | 200510090179.5 | 2005-08-11 |
| 砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构 | 李海鸥 尹军舰 张海英 叶甜春 ; | 200510088980.6 | 2005-08-04 |
| 铟镓磷增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构 | 李海鸥 尹军舰 张海英 叶甜春 ; | 200510088979.3 | 2005-08-04 |
| 光-机械式双层结构非制冷红外成像焦平面阵列 | 李超波 焦斌斌 陈大鹏 叶甜春 ; | 200510012264.X | 2005-07-28 |
科研产出