| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 基于氮化硅镂空掩模的纳米电极制备方法 | 涂德钰 王丛舜 刘 明 ; | 200510085294.3 | 2005-07-22 |
| 基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法 | 石莎莉 陈大鹏 欧 毅 叶甜春 ; | 200510012239.1 | 2005-07-21 |
| 基于真空粘合工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法 | 石莎莉 陈大鹏 欧 毅 叶甜春 ; | 200510012238.7 | 2005-07-21 |
| 采用氧化硅填充-回刻的交叉阵列结构有机器件制备方法 | 王丛舜 涂德钰 刘 明 ; | 200510012171.7 | 2005-07-14 |
| 新型微尖端面阵列器件 | 焦斌斌 陈大鹏 欧 毅 叶甜春 ; | 200510012172.1 | 2005-07-14 |
| 牺牲层固态升华释放改良设备 | 石莎莉;陈大鹏;欧 毅;叶甜春; | 200520023097.4 | 2005-07-14 |
| 一种交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法 | 涂德钰 王从舜 刘 明 ; | 200510011990.X | 2005-06-23 |
| 微尖端线列器件 | 焦斌斌 陈大鹏 欧 毅 叶甜春 ; | 200510011987.8 | 2005-06-23 |
| 采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法 | 石莎莉 陈大鹏 欧 毅 谢常青 叶甜春 ; | 200510011989.7 | 2005-06-23 |
| 单层双材料微悬臂梁热隔离焦平面阵列的制作方法 | 李超波 陈大鹏 叶甜春 王玮冰 ; | 200510011988.2 | 2005-06-23 |
| 砷化镓基增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料 | 李海鸥 尹军舰 和致经 张海英 叶甜春 ; | 200510011893.0 | 2005-06-09 |
| 与标准互补金属氧化物半导体工艺兼容的高压互补金属氧化物半导体双栅氧制备工艺 | 宋李梅 李 桦 海潮和 杜 寰 夏 洋 ; | 200510011845.1 | 2005-06-02 |
| 适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统 | 李海鸥 尹军舰 张海英 和致经 叶甜春 ; | 200510071093.8 | 2005-05-24 |
| 一种高增益和宽角度场波瓣的微带天线阵 | 阎跃鹏 ; | 200510063879.5 | 2005-04-08 |
| 高电子迁移率晶体管电路T型栅制作方法 | 张海英 ; | 200510011738.9 | 2005-05-19 |
科研产出