-
中国科学院2024年度工作会议
2024-01-05
12月23日至24日，中国科学院在京召开2024年度工作会议。中国科学院院长、党组书记侯建国传达了习近平总书记重要指示批示精神，并作了题为《加快抢占科技制高点 为实现高水平科技自立自强和建设科技强国再立新功》的工作报告。会议以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导，深入学习贯彻党的二十大和二十届二中全会精神...
-
2023年终科技盘点
2024-01-05
回望2023年，全球科技发展日新月异，我国创新实力不断提升，取得一系列令人振奋的突破性进展和标志性成果。近期，中央各大媒体等陆续评选出2023年度国内国际科技进展新闻或发布年度科技进展回顾盘点。揭示衰老新机制、“中国天眼”探测到低频引力波存在证据、发现在盐碱地上促进粮食增产关键基因、制备51个超导量子比特...
-
微电子所举办2023年“寻找科研新星”大赛
2024-01-04
12月19日，微电子所举办2023年青年技术能手大赛暨“寻找科研新星”大赛决赛。18名入围决赛的青年职工、研究生参与了“科研新星”桂冠角逐。党委书记、所长戴博伟，副所长李泠以及高频高压中心、EDA中心、科技处、人事处、教育处、所团委、所青促会等部门和组织负责同志出席了决赛并担任评委。
-
这一年，我们的重大科技成就
2023-12-27
回顾2023年，高水平科技自立自强扎实推进，前沿领域发展快速，科技实力不断提升，一系列突破性进展、标志性成果令人振奋。我国高海拔宇宙线观测站“拉索”首次完整记录迄今最亮伽马暴的万亿电子伏特伽马射线爆发全过程， “拉索”国际合作组在此基础上精确测量了迄今最亮伽马暴的高能辐射能谱，刷新了对伽马暴的认知。这...
-
微电子所在氮化镓器件可靠性及热管理研究方面取得重要进展
2023-12-11
近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队在氮化镓电子器件可靠性及热管理方面取得突破，六项研究成果入选第14届氮化物半导体国际会议ICNS-14（The 14th International Conference on Nitride Semiconductors）。氮化物半导体材料在光电子、能源、通信等领域具有广泛的应用前景。随着下游新应用的快速发展以及衬底制...
-
微电子所垂直纳米环栅器件研究又获突破
2023-11-24
在先进集成电路制造工艺中, 纳米环栅器件（GAA）正取代FinFET成为集成电路中的核心器件。垂直纳米环栅器件由于其在减小标准单元面积、缓解栅极长度限制、提高集成密度和改善寄生电容/电阻等方面具有独特优势, 成为先进逻辑和DRAM技术方面的重要研究方向。微电子所集成电路先导工艺研发中心朱慧珑研究团队于2016年首次提...
-
王守武：为中国半导体奠基的“大王先生”
2023-11-17
1950年9月，已在美国普渡大学任教的王守武和夫人葛修怀决意放弃优厚的待遇，回到百废待兴的新中国。至于回国后做什么，王守武并没有设定目标。他只有一个朴素的想法，国家需要什么就干什么。虽然有美国名牌大学的博士学位加持，但31岁的王守武最初找工作并不顺利。从上海到北京，从同济大学到清华大学，他都没有找到合适...
-
微电子所在低能耗垂直神经晶体管方面取得进展
2023-10-30
人工智能时代计算机日常需要处理的信息量急剧增加，如何在计算和存储等资源受限的边缘端快速、实时的处理信息已成为当前业界的共性需求。生物体的神经网络系统被认为是自然界中集感应、存储和计算一体化的系统，具有非常高效的信息处理能力，且工作能耗很低。受生物启发，开发神经形态器件及其阵列集成技术，构建类似生...
-
微电子所在新型纳米环栅CMOS工艺与器件技术方面取得重要进展
2023-10-16
随着集成电路制造技术持续演进，堆叠纳米片环栅场效应晶体管（ Stacked Nanosheets GAA FET ）在3纳米以下节点将替代传统鳍型晶体管（ FinFET ） ，从而进一步推动半导体产业发展。但面对大规模制造的需求， GAA晶体管技术还需突破N型与P型器件工作电流（ Ion ）严重失配和阈值电压（ Vth ）调控困难等关键挑战，对纳米...
-
微电子所在基于低功耗人工智能领域研究取得新进展
2023-09-26
近日，微电子所感知中心低功耗智能技术与微系统团队在低功耗人工智能领域研究取得新进展。语音唤醒技术（ KWS , Keyword Spotting ）是人工智能领域的重要技术，作为设备与系统的音频“开关” ，其广泛应用于各种低功耗的智能芯片与微系统中。现有针对低功耗语音唤醒芯片的研究中，仍存在语音特征与网络模型精度不匹配的...
-
超导量子芯片模拟多种陈绝缘体研究取得进展
2023-09-25
量子霍尔效应是凝聚态物理学中的基本现象。科学家发展了拓扑能带理论来研究此类拓扑物态，发现了量子霍尔系统的能带结构和系统的边界态密切相关即存在体相与边缘的对应，并利用陈数（ Chern number ）来区分不同的拓扑结构，以陈绝缘体来描述相关拓扑物态。陈绝缘体材料可通过第一性原理计算预测以及实验合成并检测，过...
-
我学者研发新型柔性声学超表面功能器件
2023-09-12
9月5日，记者从中国科学院深圳先进技术研究院(以下简称深圳先进院)获悉，该院研究员郑海荣与华中科技大学教授祝雪丰、杨光等合作研发出新型柔性声学超表面功能器件，在高/超分辨医学成像、精准操控给药和可穿戴器件等方面具有重要应用前景。相关成果发表在《自然 通讯》上。据了解，该器件基于二氧化硅纳米颗粒修饰的细...
-
中国科学家研究提出新型类脑学习方法
2023-08-30
记者8月29日从中国科学院自动化研究所获悉，该所徐波研究员团队联合科研同行最新研究提出一种基于神经调制依赖可塑性的新型类脑学习方法（NACA），实现更高分类精度和更低学习能耗，可极大缓解灾难性遗忘问题，有望进一步引导新型类脑芯片的设计。这项人工智能(AI)领域类脑研究重要进展成果论文，由徐波研究员团队与中国...
-
微电子所在28nm RRAM存内计算电路领域取得进展
2023-08-21
物联网与人工智能技术的迅猛发展对边缘节点计算平台的实时数据处理能力与能效提出了更高要求。基于新型存储器的非易失存内计算技术可实现数据的原位存储与计算、将数据搬运带来的功耗与延迟开销最小化，从而大幅提升边缘设备的数据处理能力与效能比。但由于基础单元特性的非理想因素，阵列中的寄生效应以及模数转换电路...
-
微电子所在氧化铪基铁电存储材料方面取得重要进展
2023-08-21
互联网、人工智能等信息技术的快速发展，对存储器的存储密度、访问速度以及操作次数都提出了更高的要求。现在普遍研究的正交相（ orthorhombic phase ，简称“ o相” ） HfO2基铁电材料由于自身高铁电翻转势垒和“独立翻转”的偶极子翻转模式，使基于该铁电材料的器件具有高矫顽场，进而导致器件工作电压与先进技术节点...
-
加强基础研究 打造原始创新策源地 新思想引领新征程
2023-07-25
近日，位于贵州的中国天眼传来好消息，FAST发现的脉冲星数量已超过800颗，这一数量是自其投入运行以来，国外同类型观测设备脉冲星发现总数的三倍以上。从落成启用到正式运行，习近平总书记十分关心中国天眼，勉励大家要勇攀世界科技高峰，在一些领域实现并跑领跑，为加快建设科技强国、实现科技自立自强作出新的更大贡献...
-
习近平给“科学与中国”院士专家代表回信强调 带动更多科技工作者支持和参与科普事业 促进全民科学素质的提高
2023-07-25
中共中央总书记、国家主席、中央军委主席习近平7月20日给“科学与中国”院士专家代表回信，对科技工作者支持和参与科普事业提出殷切期望。习近平在回信中说，多年来，你们积极参加“科学与中国”巡讲活动，广泛传播科学知识、弘扬科学精神，在推动科学普及上发挥了很好的作用。习近平指出，科学普及是实现创新发展的重要...
-
科技创新再出发
2023-07-25
7月17日，中国科学院召开“牢记嘱托 学思践悟 再建新功——深入学习贯彻习近平总书记2013年在中国科学院考察工作时的重要讲话精神”专题座谈会。中国科学院院长、党组书记侯建国出席会议并讲话。中央主题教育第三十七指导组组长蒋卓庆及部分指导组成员出席会议。中国科学院副院长、党组副书记阴和俊主持会议，在京院领导...
-
微电子所在铁电存储器可靠性研究方面取得进展
2023-07-21
基于HfO2的铁电存储器（FeRAM）由于其高速、良好的可微缩性和CMOS工艺兼容性备受关注。但FeRAM的特性对温度极其敏感，性能受温度影响很大。如何减轻温度对FRAM阵列性能的影响，使其能在高温下实现高可靠性操作需要更加深入研究。针对这一问题，微电子所刘明院士团队提出了一种考虑温度效应的铁电阵列操作方法，并在128kb...
-
努力抢占科技制高点 加快实现高水平科技自立自强
2023-07-17
习近平同志《论科技自立自强》一书，收入党的十八大以来习近平同志关于科技自立自强的重要文稿。在强国建设、民族复兴的新征程上，中国科学院将进一步深入学习贯彻习近平总书记重要论述和重要指示批示精神，紧紧围绕“四个率先”和“两加快一努力”目标要求，胸怀“国之大者” ，勇担时代重任，把抢占科技制高点作为核心...
综合新闻