| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/铂/金的欧姆接触系统 | 魏 珂 和致经 刘新宇 刘 健 吴德馨 ; | 200410058033.8 | 2004-08-09 |
| 绝缘体硅射频集成电路的集成结构及制作方法 | 杨 荣 李俊峰 徐秋霞 海潮和 韩郑生 周小茵 赵立新 牛洁斌 钱 鹤 ; | 200410045979.0 | 2004-05-27 |
| 15-50纳米线宽多晶硅栅的刻蚀方法 | 徐秋霞 钱 鹤 赵玉印 ; | 200410047533.1 | 2004-05-21 |
| 一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法 | 徐秋霞 钱 鹤 刘 明 赵玉印 ; | 200410047532.7 | 2004-05-21 |
| 用于射频横向扩散场效应晶体管的自对准硅化物方法 | 杨 荣 李俊峰 海潮和 徐秋霞 韩郑生 柴淑敏 赵玉印 周锁京 钱 鹤 ; | 200410035088.7 | 2004-04-23 |
| 用于提高硅集成电感品质因数的局部介质增厚方法 | 李俊峰 杨 荣 李力南 扈焕章 蒋浩杰 白国斌 钱 鹤 ; | 200410035089.1 | 2004-04-23 |
| 常压低温冷等离子体放电通道装置 | 王守国 ; | 200420004987.6 | 2004-03-18 |
| 常压射频低温冷等离子体放电通道装置 | 王守国 ; | 200420004986.1 | 2004-03-18 |
| 电镀起镀层的制作方法 | 刘新宇 孙海峰 和致经 邵刚 ; | 200410039695.0 | 2004-03-16 |
| 均匀大面积常压射频冷等离子体发生器 | 王守国 ; | 200420003865.5 | 2004-02-26 |
| 一种异步数据通路平均性能分析方法 | 赵冰 黑勇 仇玉林 ; | 200410002011.X | 2004-01-09 |
| 异步加-选择—比较器电路 | 赵冰 黑勇 仇玉林 ; | 200410002012.4 | 2004-01-09 |
| 复合胶电镀制作空气桥的方法 | 邵刚 刘新宇 和致经 刘键 吴德馨 ; | 200410001433.5 | 2004-01-08 |
| 新结构肖特基毫米波混频二极管 | 张海英 ; | 200310122345.6 | 2003-12-16 |
| X射线光刻对准标记 | 王德强 谢常青 叶甜春 ; | 200310120546.2 | 2003-12-12 |
科研产出