| 论文题目 | 作者 | 刊物名称 | 发表年度 |
|---|---|---|---|
| GaAs基E/D PHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路 | 黎明，张海英，徐静波，付晓君; | 《半导体学报》 | 2008 |
| T形栅In0.52Al0.48 As／In0.6Ga0.4As MHEMTs功率器件 | 黎明，张海英，徐静波，付晓君; | 《半导体学报》 | 2008 |
| 增强型InGaP／AlGaAs／InGaAs PHEMT栅退火工艺 | 黎明，张海英，徐静波，李潇，刘亮，付晓君; | 《半导体学报》 | 2008 |
| 200nm栅长In0.52Al0.48As／In0.6Ga0.4As MHEMTs器件 | 黎明，张海英，徐静波，付晓君; | 《半导体学报》 | 2008 |
| 碳致深能级引起的AlGaN/GaN HEMT电流崩塌现象 | 庞磊，李诚瞻，王冬冬，黄俊，曾轩，刘新宇，刘键，郑英奎，和致经; | 《半导体学报》 | 2008 |
| 一种改进了碰撞电离的超高速InP基SHBT SDD模型 | 葛霁，金智，刘新宇，程伟，王显泰，陈高鹏，吴德馨; | 《半导体学报》 | 2008 |
| 考虑载流子速度和耗尽层宽度随电压变化的VBIC模型 | 葛霁，金智，刘新宇，程伟，王显泰，陈高鹏，吴德馨; | 《半导体学报》 | 2008 |
| 200 nm gate-length GaAs-based MHEMT devices by electron beam lithography | XU JingBo, ZHANG HaiYing, WANG WenXin, LIU Liang, LI Ming, FU XiaoJun, NIU JieBin ，YE TianChun; | Chinese Science Bulletin | 2008 |
| 利用电子束光刻技术实现200nm栅长GaAs基MHEMT器件 | 徐静波，张海英，王文新，刘亮，黎明，付晓君，牛洁斌，叶甜春; | 《科学通报》 | 2008 |
| 钝化前表面预处理对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响 | 李诚瞻，刘丹，郑英奎，刘新宇，刘键，魏珂，和致经; | 《半导体学报》 | 2008 |
| 应用于AlGaN/GaN HEMTs MMIC薄膜电阻的特性与可靠性 | 姚小江，蒲颜，刘新宇，吴伟超; | 《半导体学报》 | 2008 |
| 8GHz带有RC稳定网络的AlGaN/GaN HEMTs内匹配功率合成放大器的设计 | 曾轩，陈晓娟，刘果果，袁婷婷，陈中子，张辉，王亮，李诚瞻，庞磊，刘新宇，刘键; | 《半导体学报》 | 2008 |
| 空间功率合成模块中鳍状天线阵的分析和设计 | 武锦，欧阳思华，阎跃鹏，刘新宇; | 《红外与毫米波学报》 | 2008 |
| 截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管 | 金智，程伟，刘新宇，徐安怀，齐鸣; | 《半导体学报》 | 2008 |
| InGaAs/InP DHBT的基极-集电极设计 | 金智，刘新宇; | 中国科学E辑 | 2008 |
科研产出